| 講演名 | 1997/6/17 低誘電率フッ素化アモルファスカーボンの作製 林 亨, 天野 富大, 増田 淳, 横道 治男, |
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| 抄録(和) | Ch_4およびCF_4ガスを用い, プラズマCVD法によりフッ素化アモルファスカーボン(a-C:F)の作製を行った. 電子スピン共鳴(ESR), 赤外吸収(IR), 光学吸収, X線光電子分光(XPS), 誘電率測定によりa-C:F膜の基礎物性の評価を行った. 全ガス流量に対するCF_4ガス流量比Rが増加するにつれて, 膜中のフッ素量が増加し, R=0.97ではフッ素量が67at.%という値を得た. この試料ではIRスペクトルによりCF_3のモードが観測され, 水素に関係するモードが消失した. さらにこの試料の比誘電率は1MHzにおいて2.2であり, ESRスペクトルの線幅は他の試料よりも広く4.2mTであった. また比誘電率およびフッ素結合状態のアニールによる効果についても議論する. |
| 抄録(英) | Fluorinated amorphous carbon(a-C:F) thin films were prepared using CH_4 and CF_4 gases by the plasma chemical vapor deposition (CVD) method. Electron spin resonance(ESR), infrared(IR) absorption, optical absorption, X-ray photoelectron spectroscopy(XPS) and dielectric constant measurements were carried out in order to investigate the basic properties of these films. XPS measurements revealed that the fluorine concentration of the films increased with increasing R, where R is the ratio of CF_4 flow rate to the total gas flow rate. When R = 0.97, the fluorine concentration increased remarkably to approximately 67 at.%. In this film, CF_3 mode appeared in the IR spectrum and the hydrogen-related modes disappeared. The dielectric constant of the film was estimated to be 2.2 at 1MHz and the line width of the ESR spectrum of the film, 4.2 mT, was broader than that of the other films. We also discuss the effect of thermal annealing on dielectric constant and the fluorine bonding configuration. |
| キーワード(和) | フッ素化アモルファスカーボン(a-C:F) / 誘電率 / ダングリングボンド / C-F結合 / 熱アニール |
| キーワード(英) | fluorinated amorphous carbon(a-C:F) / dielectric constant / dangling bond / C-F bond / thermal annealing |
| 資料番号 | LQE97-18 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 1997/6/17(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 低誘電率フッ素化アモルファスカーボンの作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Preparation of fluorinated amorphous carbon thin films with low dielectric constant |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | フッ素化アモルファスカーボン(a-C:F) / fluorinated amorphous carbon(a-C:F) |
| キーワード(2)（和/英） | 誘電率 / dielectric constant |
| キーワード(3)（和/英） | ダングリングボンド / dangling bond |
| キーワード(4)（和/英） | C-F結合 / C-F bond |
| キーワード(5)（和/英） | 熱アニール / thermal annealing |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 林 亨 / Tohru Hayashi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 富山県立大学工学部電子情報工学科 Department of Electronics and Informatics, Toyama Prefectural University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 天野 富大 / Tomihiro Amano |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 富山県立大学工学部電子情報工学科 Department of Electronics and Informatics, Toyama Prefectural University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 増田 淳 / Atsushi Masuda |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科 School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 横道 治男 / haruo Yokomichi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 富山県立大学工学部電子情報工学科 Department of Electronics and Informatics, Toyama Prefectural University |
| 発表年月日 | 1997/6/17 |
| 資料番号 | LQE97-18 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 100 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |