| 講演名 | 1997/7/4 導波路型pin-PDと分布型増幅器のモノリシック集積による30 Gbit/s受信OEIC 高畑 清人, 村本 好史, 深野 秀樹, 加藤 和利, 野口 一人, 幸前 篤郎, 中島 長明, 木村 俊二, 今井 祐記, |
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| 抄録(和) | 従来構造の受信OEIC (面型受光素子+帰還型増幅器)の限界を超える超高速受信用OEICの実現に向けて, 導波路型pinフォトダイオード(WGPD)とHEMT分布ベースバンド増幅器で構成された受信用OEICをInP基板上に作製した. 本受信OEICの3db遮断周波数帯域は20 GHz, 20Gbit/sRZ疑似ランダム光信号に対する受信感度は-10.4dBmであった. また, 30Gbit/sの光信号に対しても良好なアイの開口を示した. この受信OElCを構成しているWGPD, 分布ベースバンド増幅器は単体では100GHz前後の帯域を達成しており, WGPD/分布型増幅器-OEICは40Gbit/sを越える超高速動作の可能性を有している. |
| 抄録(英) | A photoreceiver OEIC composed of a waveguide p-i-n photodiode and a HEMT baseband distributed amplifier has been constructed. It has a 3-dB-down frequency of 20 GHz and operates at 20Gbit/s with a sensitivity of -10.4 dBm. It also shows good eye opening at 30 Gbit/s. Concerning the potencial of both components, our integration concept has a possibility of achieving ultra-high-speed operation over 40 Gbit/s. |
| キーワード(和) | 受光用OEIC / 導波路型pin-PD / 分布型増幅器 / 高速光通信 / HEMT |
| キーワード(英) | receiver OEIC / waveguide p-i-n photodiode / distributed amplifier / high-speed optical transmission / HEMT |
| 資料番号 | LQE97-37 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 1997/7/4(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 導波路型pin-PDと分布型増幅器のモノリシック集積による30 Gbit/s受信OEIC |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 30-Gbit/s Monolithic Photoreceiver Consisting of a Waveguide p-i-n Photodiode and a Distributed Amplifier |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 受光用OEIC / receiver OEIC |
| キーワード(2)（和/英） | 導波路型pin-PD / waveguide p-i-n photodiode |
| キーワード(3)（和/英） | 分布型増幅器 / distributed amplifier |
| キーワード(4)（和/英） | 高速光通信 / high-speed optical transmission |
| キーワード(5)（和/英） | HEMT / HEMT |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 高畑 清人 / K. Takahata |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NTT光エレクトロニクス研究所 NTT Opto-Electronics Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 村本 好史 / Y. Muramoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NTT光エレクトロニクス研究所 NTT Opto-Electronics Laboratories |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 深野 秀樹 / H. Fukano |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NTT光エレクトロニクス研究所 NTT Opto-Electronics Laboratories |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 加藤 和利 / K. Kato |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NTT光エレクトロニクス研究所 NTT Opto-Electronics Laboratories |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 野口 一人 / A. Kozen |
| 第 5 著者 所属（和/英） | NTT光エレクトロニクス研究所 NTT Electronics Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 幸前 篤郎 / K. Noguchi |
| 第 6 著者 所属（和/英） | NTTエレクトロニクステクノロジー NTT Opto-Electronics Laboratories |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 中島 長明 / O. Nakajima |
| 第 7 著者 所属（和/英） | NTT光エレクトロニクス研究所 NTT Opto-Electronics Laboratories |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 木村 俊二 / S. Kimura |
| 第 8 著者 所属（和/英） | NTTシステムエレクトロニクス研究所 NTT System Electronics Laboratories |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 今井 祐記 / Y. Imai |
| 第 9 著者 所属（和/英） | NTTエレクトロニクステクノロジー NTT Electronics Technology |
| 発表年月日 | 1997/7/4 |
| 資料番号 | LQE97-37 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 153 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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