| 講演名 | 1997/7/4 自己形成量子ドット面発光レーザによる偏光制御 西 研一, 斎藤 英彰, 菅生 繁男, 杉本 喜正, |
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| 抄録(和) | 成長面内に構造異方性を有する自己形成量子ドットを活性層に用いることにより, 面発光レーザの偏光制御を実現した. GaAs(1OO)面上に形成されたInGaAs量子ドットは, [O1^^-1]方向に長い構造異方性を有する. PL測定において, [O1^^-1]方向に偏光した光は, [011]偏光より約1.37倍強いことが確認された. この異方的なInGaAs量子ドットを活性層に用いた面発光レーザを作製し, 量子ドットの基底準位での発振を確認した. レーザ光は[0^^-11]方向に偏光しており, [011]方向の偏光強度との消光比として, 18dbという値が得られた. |
| 抄録(英) | Polarization control is achieved in vertical-cavity surface-emitting lasers by using structurally anisotropic self-assembled quantum dots as active layers. The InGaAs dot shape is elongated along [01^^-1] direction on (100) GaAs surface. Photoluminescence light polarized along [O1^^-1] direction is 1.37 times stronger than that along [011]. Lasing emission from the surface emitting laser shows polarization suppression ratio of 18 dB. |
| キーワード(和) | 量子ドットレーザ / 面発光レーザ / 自己形成ドット / 偏光制御 / 基底準位発振 |
| キーワード(英) | quantum dot LD / surface-emitting LD / self-assembled dot / polarization / ground state |
| 資料番号 | LQE97-33 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 1997/7/4(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 自己形成量子ドット面発光レーザによる偏光制御 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Polarization control in surface-emitting laser with anisotropic self -assembled quantum dots |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 量子ドットレーザ / quantum dot LD |
| キーワード(2)（和/英） | 面発光レーザ / surface-emitting LD |
| キーワード(3)（和/英） | 自己形成ドット / self-assembled dot |
| キーワード(4)（和/英） | 偏光制御 / polarization |
| キーワード(5)（和/英） | 基底準位発振 / ground state |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 西 研一 / Kenichi Nishi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NEC光エレクトロニクス研究所 Opto-Electronics Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 斎藤 英彰 / Hideaki Saito |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NEC光エレクトロニクス研究所 Opto-Electronics Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 菅生 繁男 / Shigeo Sugou |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NEC光エレクトロニクス研究所 Opto-Electronics Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 杉本 喜正 / Yoshimasa Sugimoto |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NEC光エレクトロニクス研究所 Opto-Electronics Research Laboratories, NEC Corporation |
| 発表年月日 | 1997/7/4 |
| 資料番号 | LQE97-33 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 153 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |