| 講演名 | 1997/7/4 (211)InP基板上1.3μm帯レーザ 奥野 八重, 土屋 朋信, 岡井 誠, |
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| 抄録(和) | 半導体レーザを(n11)基板上に作製することにより低閾値化が期待できる. 本報告では, 理論予測により低閾値化の効果が顕著であると示されている, (211)A InP基板上への結晶成長及びレーザ作製の検討を行った. まず無歪InGAs(P)混晶の単一重子井戸(SQW)構造をフォトルミネッセンス(PL)で評価した. 極薄(0.5nm)の場合はヘテロ界面のミクロステップにより, またInGaAs SQWでは界面での平坦性不足により, 発光特性の劣化が見られた. しかし, レーザの井戸層に適した組成・膜厚のInGaAsP SQWの光学特性は, (100)基板上の同SQWのものと同等であった. 更に1.3μm帯無歪MQWレーザの作製を行ったところ, 閾電流密度=900 A/cm^2 (@共振器長400μm, 活性層幅20μm), 特性温度50K(@20～70℃)と, (100)基板上の同様のレーザと同等の値が得られた. |
| 抄録(英) | We demonstrate the first fabrication of a long-wavelength laser on a (211)A InP substrate, with the expectation of reducing threshold current density. We found that unstrained InGaAsP SQWs whose composition is appropriate for laser MQWs could be fabricated with good optical properties, although the properties of a very thin SQW and InGaAs SQWs were degraded. A laser that had an unstrained MQW active layer emitting at 1.3μm was fabricated. The performance of this laser was comparable to what can be obtained from the same type of laser on a (1OO) substrate, such as a jth of 90O A/cm^2 and a characteristic temperature of 50K. These results suggest that long-wavelength lasers with satisfactory quality can be fabricated on (211)A substrates. |
| キーワード(和) | (211)A InP基板 / 低閾値化 / 1.3μm帯無歪MQWレーザ |
| キーワード(英) | (211)A InP substrate / threshold current density / 1.3-μm unstrained MQW laser |
| 資料番号 | LQE97-30 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 1997/7/4(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | (211)InP基板上1.3μm帯レーザ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 1.3-μm-wavelength multiple-quantum-well lasers on (211) InP substrates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | (211)A InP基板 / (211)A InP substrate |
| キーワード(2)（和/英） | 低閾値化 / threshold current density |
| キーワード(3)（和/英） | 1.3μm帯無歪MQWレーザ / 1.3-μm unstrained MQW laser |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 奥野 八重 / Y. Okuno |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 土屋 朋信 / T. Tsuchiya |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 岡井 誠 / M. Okai |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 発表年月日 | 1997/7/4 |
| 資料番号 | LQE97-30 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 153 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |