| 講演名 | 1997/7/4 p形カーボンデルタドーピングを用いたInGaAs/GaAs歪み量子井戸レーザの性能向上 羽鳥 伸明, 水谷 章成, 西山 伸彦, 小山 二三夫, 伊賀 健一, |
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| 抄録(和) | 大規模光インターコネクト用の光源として期待される面発光レーザに, p型デルタドープ量子井戸構造を用いた新構造を提案し, その基礎検討を行った. 減圧有機金属気相成長法により, オートドープ法を用いたカーボンのAIAs層へのドーピング特性を確立した. p型デルタドープ3層量子井戸ストライプレーザを製作し, 最低しきい値電流密度で154A/cm^2(52A/cm^2/well)の値を得た. 面発光レーザに適用することで, 低しきい値化と高速化が期待できる. |
| 抄録(英) | We have proposed a p-type delta doped InGaAs/GaAs quantum well structure for low threshold vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs). We established carbon auto doping technique in AIAs by using low-pressure metalorganic chemical vapor deposition. Edge emitting lasers having p-type delta doped three InGaAs/GaAs quantum wells were fabricated, and threshold current density was reduced to 154A/cm^2 (52A/cm^2/well). Threshold reduction and high speed modulation of VCSELs is expected by the proposed p-type delta doped quantum wells. |
| キーワード(和) | p型デルタドープ量子井戸 / カーボンオートドーピング / 面発光レーザ / 有機金属気相成長法 |
| キーワード(英) | p-type delta doped quantum well / carbon auto doping / surface-emitting laser / metal-organic chemical vapor deposition |
| 資料番号 | LQE97-29 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 1997/7/4(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | p形カーボンデルタドーピングを用いたInGaAs/GaAs歪み量子井戸レーザの性能向上 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characteristic improvement of InGaAs/GaAs strained quantum well lasers using p-type carbon delta doping |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | p型デルタドープ量子井戸 / p-type delta doped quantum well |
| キーワード(2)（和/英） | カーボンオートドーピング / carbon auto doping |
| キーワード(3)（和/英） | 面発光レーザ / surface-emitting laser |
| キーワード(4)（和/英） | 有機金属気相成長法 / metal-organic chemical vapor deposition |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 羽鳥 伸明 / Nobuaki HATORI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所 Precision and Intelligence Laboratory, Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 水谷 章成 / Akimasa MIZUTANI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所 Precision and Intelligence Laboratory, Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 西山 伸彦 / Nobuhiko NISHIYAMA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所 Precision and Intelligence Laboratory, Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 小山 二三夫 / Fumio KOYAMA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所 Precision and Intelligence Laboratory, Tokyo Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 伊賀 健一 / Kenichi IGA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所 Precision and Intelligence Laboratory, Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1997/7/4 |
| 資料番号 | LQE97-29 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 153 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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