| 講演名 | 1994/5/23 p型基板1.3μm帯歪MQWレーザの低しきい値特性 井上 忠夫, 井出 聡, 小田川 哲史, 田中 一弘, 町田 豊稔, 若尾 清秀, |
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| 抄録(和) | 光並列リンク等への応用を考え、高温まで低しきい値電流で発振するp型基板1.3μm帯歪MQWレーザを作製し、特性を評価した。MQW活性層構造の検討として、井戸層厚、井戸層数を変えて比較した結果、井戸層厚8nm、井戸層数5が良好であった。この活性層構造をp型基板埋め込み構造に適用した結果、共振器長200μm、両面高反射率化素子で、1.0mA(20℃)、3.5mA(80℃)という低しきい値電流特性を得た。10チャンネル・レーザアレイのしきい値ばらつきは0.1mA以下で、均一性も良好であった。また、1Gbit, sの無バイアス高速変調でも、1タイムスロットの70%以上の大きなアイ開口率を得た |
| 抄録(英) | Low threshold 1.3μm strained MQW lasers for optical-interconnect ion were fabricated on p type lnP substrates.The dependency on the number and thickness of the wells of the MQW structure was investigated for low threshold operation at high temperature.The low theshold current 1.0 mA at 20℃ and 3.5mA at 80℃ was obtained with the laser of 200 μm cavity with high reflecting coat.The stan dard deviation of the thershold current of 10-channel laser array was less than 0.1 mA. A large eye-opening ratio more than 70% was obtained at 1 Gb, s under zero-bias condition. |
| キーワード(和) | 半導体レーザ / 歪MQWレーザ / しきい値電流 / P型基板 / 光インターコネクション |
| キーワード(英) | Semiconductor laser / Strained MQW laser / Threshold corrent / p-type substrate / Optical interconnection |
| 資料番号 | LQE94-6 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 1994/5/23(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | p型基板1.3μm帯歪MQWレーザの低しきい値特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low Threshold Current p-Substrate 1.3μm Strained MQW Lasers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 半導体レーザ / Semiconductor laser |
| キーワード(2)（和/英） | 歪MQWレーザ / Strained MQW laser |
| キーワード(3)（和/英） | しきい値電流 / Threshold corrent |
| キーワード(4)（和/英） | P型基板 / p-type substrate |
| キーワード(5)（和/英） | 光インターコネクション / Optical interconnection |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 井上 忠夫 / Tadao Inoue |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 富士通研究所 Fujitsu Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 井出 聡 / Satoshi Ide |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 富士通研究所 Fujitsu Laboratories |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小田川 哲史 / Tetsufumi Odagawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 富士通研究所 Fujitsu Laboratories |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 田中 一弘 / Kazuhiro Tanaka |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 富士通研究所 Fujitsu Laboratories |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 町田 豊稔 / Toyotoshi Machida |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 富士通研究所 Fujitsu Laboratories |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 若尾 清秀 / Kiyohide Wakao |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 富士通研究所 Fujitsu Laboratories |
| 発表年月日 | 1994/5/23 |
| 資料番号 | LQE94-6 |
| 巻番号（vol） | vol.94 |
| 号番号（no） | 60 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |