講演名 1994/10/12
電圧印加によるLiNbO_3SHGデバイス用分極反転グレーティングの作製
金高 健二, 藤村 昌寿, 栖原 敏明, 西原 浩,
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抄録(和) 小型短波長コヒーレント光源実現のため,LiNbO_3導波路形擬似位相整合光第2高調波発生デバイスの開発が期待されている.このデバイス実現のためには分極反転グレーティングの作製が重要である.我々はz板LiNbO_3結晶(0.5mm厚)の表面近傍に約3μm周期のグレーティングを電圧印加により作製することを検討した.周期電極構造として梯子電極と,新たに波板電極を検討した.周期電極下に誘起される電界のz方向成分分布を理論計算により求め,グレーティング作製に有効な周期電極形状を明らかにした.実験的検討により分極反転は+z側から起こり易く,電流制限したパルス電圧(~10kV,幅1~40msec)の印加が有効で,電流制限値とパルス幅を適切な値にしたとき電極下全体でほぼ均一に分極反転グレーティングが作製できることを見いだした.真空中で梯子電極(電極指幅, 周期~0.2)を用いたとき,及び絶縁性オイル中で波板電極を用いたとき,周期電極下に反転幅:非反転幅が1:1に近く導波路作製断面内で一様な,デバイスに適した構造が作製できた.
抄録(英) The characteristics of the ferroelectric-domain-inverted grating(~3μm period) formed by applying voltage at room temperatu re in LiNbO_3(0.5mm thickness) were examined for waveguide quasi- phase-matching seconid-harmonic-generation devices.Ladder electrode and corrugation electrode were adopted as a periodic electrode.The electric field distribution in the crystal depending on the electrode structure was calculated.It was found that the domain-inversion tended to occur from the +z-side rather than the - z-side.The optimum structure was obtained by applying a voltage pulse of approximately 10kV,140msec through a ladder electrode (linewidth, period=0.2) in vacuum,and through a corrugation electrode in insulation oil.
キーワード(和) 非線形光学 / 光第2高調波発生 / 光導波路 / 分極反転 / ニオブ酸リチウム
キーワード(英) Nonlinear Optics / Second Harmonic Generation / Optical waveguide / Domain Inversion / LiNbO_3
資料番号 LQE94-48
発行日

研究会情報
研究会 LQE
開催期間 1994/10/12(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Lasers and Quantum Electronics (LQE)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 電圧印加によるLiNbO_3SHGデバイス用分極反転グレーティングの作製
サブタイトル(和)
タイトル(英) Fabrication of ferroelectric-domain-inverted gratings for LiNbO_3 SHG devices by applying voltage
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 非線形光学 / Nonlinear Optics
キーワード(2)(和/英) 光第2高調波発生 / Second Harmonic Generation
キーワード(3)(和/英) 光導波路 / Optical waveguide
キーワード(4)(和/英) 分極反転 / Domain Inversion
キーワード(5)(和/英) ニオブ酸リチウム / LiNbO_3
第 1 著者 氏名(和/英) 金高 健二 / Kenji Kintaka
第 1 著者 所属(和/英) 大阪大学工学部電子工学科
Department of Electronic Engineering Faculty of Engineering,Osaka University
第 2 著者 氏名(和/英) 藤村 昌寿 / Masatoshi Fujimura
第 2 著者 所属(和/英) 大阪大学工学部電子工学科
Department of Electronic Engineering Faculty of Engineering,Osaka University
第 3 著者 氏名(和/英) 栖原 敏明 / Toshiaki Suhara
第 3 著者 所属(和/英) 大阪大学工学部電子工学科
Department of Electronic Engineering Faculty of Engineering,Osaka University
第 4 著者 氏名(和/英) 西原 浩 / Hiroshi Nishihara
第 4 著者 所属(和/英) 大阪大学工学部電子工学科
Department of Electronic Engineering Faculty of Engineering,Osaka University
発表年月日 1994/10/12
資料番号 LQE94-48
巻番号(vol) vol.94
号番号(no) 269
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日