| 講演名 | 1999/7/9 Tb/s光スイッチシステム用半導体光増幅器の雑音特性 玉置 岳正, 畠山 大, 佐々木 達也, |
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| 抄録(和) | 光クロスコネクトやATM-SW等のスイッチング素子への搭載を念願とした半導体光増幅器(SOA)において, 伝送エラーが起き難い光スイッチシステムを構成するには, SOAの利得,飽和出力, 消光比が大きいとともに, SOAの自然放出光に起因する雑音が小さいことが要求される. 今回, 単体SOAの雑音指数(NF)について, 利得飽和領域まで含んだ入力光パワー依存性について理論及び実験的に明らかにした. さらに提案されているTb/s光スイッチシステムにおいてSOAの利得飽和やNFの入力光パワー依存性を考慮して伝送特性に関して検討した結果, 要求のBERに対して十分高いパワーマージンを持つことがわかった. |
| 抄録(英) | The noise figure (NF) of a semiconductor optical amplifier is evaluated, focusing on its input-power dependence, for application to a Tb/s optical packet/cell-based switching fabric. Clearly, the equivalent population inversion factor can be used to estimate the NF, even within the gain saturation region. This SOA gate module is applicable to Tb/s optical packet/cell-based optical switching systems based upon our estimation of the power margin at the required bit error rate. |
| キーワード(和) | 半導体光増幅器 / 雑音指数 / ゲートスイッチ / マトリクス光スイッチ |
| キーワード(英) | semiconductor optical amplifier / noise figure / gate switch / optical matrix switches |
| 資料番号 | OPE99-37 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE |
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| 開催期間 | 1999/7/9(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Optoelectronics (OPE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Tb/s光スイッチシステム用半導体光増幅器の雑音特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Semiconductor-Optical-Amplifier Noise-Figure Measurement for a Tb/s Optical Packet/Cell-Based Switching Fabric |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 半導体光増幅器 / semiconductor optical amplifier |
| キーワード(2)（和/英） | 雑音指数 / noise figure |
| キーワード(3)（和/英） | ゲートスイッチ / gate switch |
| キーワード(4)（和/英） | マトリクス光スイッチ / optical matrix switches |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 玉置 岳正 / Takemasa TAMANUKI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NEC光・超高周波デバイス研究所 Optoelectronics and High Frequency Device Res. Labs., NEC Corp. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 畠山 大 / Hiroshi HATAKEYAMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NEC光・超高周波デバイス研究所 Optoelectronics and High Frequency Device Res. Labs., NEC Corp. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 佐々木 達也 / Tatsuya SASAKI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NEC光・超高周波デバイス研究所 Optoelectronics and High Frequency Device Res. Labs., NEC Corp. |
| 発表年月日 | 1999/7/9 |
| 資料番号 | OPE99-37 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 172 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |