| 講演名 | 1999/7/9 1.3μm帯InAsP系変調ドープレーザ 清水 均, 斉藤 要, 熊田 浩仁, 山中 信光, 岩田 則広, 向原 智一, 粕川 秋彦, |
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| 抄録(和) | 長波長帯歪量子井戸レーザの更なる特性の向上を目的として、ガスソースMBE成長による、1.3μm帯InAsP系歪MQWレーザの特性に及ぼすn型とp型変調ドープ両方の効果を初めて調べた。n型変調ドープでは、共振器長1200μmにおいて250A/cm^2という非常に低いしきい値電流密度を達成し、室温CW駆動でしきい値電流0.9mAという非常に低い値を達成した。この値はガスソースを含めたMBE成長による長波長帯レーザの中で最も低い値である。n型MD-MQWによるしきい値電流とキャリアライフタイム両方の減少により、発振遅延時間は約30%減少した。また、5×10^<18>cm^-3ドープしたp型MD-MQWでは微分利得がアンドープMQWに比べて1.34倍になることを示し、また発振遅延時間も約20%小さくなるので、高速変調レーザ用材料として適していることを示した。 |
| 抄録(英) | The effect of n-type and p-type modulation-doping on MQW laser performances were studied using gas-source molecular-beam epitaxy with the object of the further improvement of long wavelength-strained MQW lasers. The obtained threshold current density was as low as 25OA/cm^2 for n-type modulation-doped (MD) MOW lasers. A very low CW threshold current of 0.9mA have been obtained at room temperature, which is the lowest results grown by all kinds of molecular-beam epitaxy in the long wavelength region. Both reduction of the threshold current and the carrier lifetime lead to the reduction of the tum-on delay time by about 30% for n-type MD-MOW lasers. On the other hand, the differential gain was confirmed to increase by a factor of 1.34 for p-type MD-MQW lasers compared with undoped MOW lasers, which indicates p-type modulation doping is suitable for the high speed lasers. |
| キーワード(和) | 変調ドープ / 低しきい値 / 微分利得 / InAsP / GSMBE |
| キーワード(英) | modulation-doping / low threshold / differential gain / InAsP / GSMBE |
| 資料番号 | OPE99-35 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE |
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| 開催期間 | 1999/7/9(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Optoelectronics (OPE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 1.3μm帯InAsP系変調ドープレーザ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | l.3μm InAsP Modulation- Doped MQW Lasers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 変調ドープ / modulation-doping |
| キーワード(2)（和/英） | 低しきい値 / low threshold |
| キーワード(3)（和/英） | 微分利得 / differential gain |
| キーワード(4)（和/英） | InAsP / InAsP |
| キーワード(5)（和/英） | GSMBE / GSMBE |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 清水 均 / Hitoshi Shimizu |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 古河電工(株)横浜研究所 Photonics & Opto-Electronic Materials (POEM) Yokohama R&D Laboratories, The Furukawa Electric Co. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 斉藤 要 / Kaname Saito |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 古河電工(株)横浜研究所 Photonics & Opto-Electronic Materials (POEM) Yokohama R&D Laboratories, The Furukawa Electric Co. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 熊田 浩仁 / Kouji Kumada |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 古河電工(株)横浜研究所 Photonics & Opto-Electronic Materials (POEM) Yokohama R&D Laboratories, The Furukawa Electric Co. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山中 信光 / Nobumitsu Yamanaka |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 古河電工(株)横浜研究所 Photonics & Opto-Electronic Materials (POEM) Yokohama R&D Laboratories, The Furukawa Electric Co. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 岩田 則広 / Norihiro Iwai |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 古河電工(株)横浜研究所 Photonics & Opto-Electronic Materials (POEM) Yokohama R&D Laboratories, The Furukawa Electric Co. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 向原 智一 / Tomokazu Mukaihara |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 古河電工(株)横浜研究所 Photonics & Opto-Electronic Materials (POEM) Yokohama R&D Laboratories, The Furukawa Electric Co. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 粕川 秋彦 / Akihiko Kasukawa |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 古河電工(株)横浜研究所 Photonics & Opto-Electronic Materials (POEM) Yokohama R&D Laboratories, The Furukawa Electric Co. |
| 発表年月日 | 1999/7/9 |
| 資料番号 | OPE99-35 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 172 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |