| 講演名 | 1999/1/19 GaN系量子井戸のサブバンド間遷移に対するビルトイン電界の影響 鈴木 信夫, 飯塚 紀夫, |
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| 抄録(和) | 窒素物半導体量子井戸中のサブバンド間遷移は、超高速光スイッチへの応用が期待されている。この系固有のピエゾ電気効果や自発分極によるビルトイン電界がサブバンド間遷移に及ぼす影響について検討した。Al_<0.65>Ga_<0.35>N/GaN量子井戸のサブバンド間吸収波長の測定結果から、井戸層には約2MV/cmのビルト電界が存在していると推定される。厚い井戸内のビルトイン電界は、顕著な吸収波長の短波長化や緩和時間の増大を引き起こす。一方、障壁層のビルトイン電界は、薄い井戸の第2サブバンドの形成に影響する。サブバンド間遷移の短波長化には、障壁を高めるだけでなく、障壁層の電界の抑制が重要である。 |
| 抄録(英) | The intersubband transition (ISBT) in nitride quantum wells is expected to be applicable to ultrafast optical switches. Effect of the built-in field caused by the piezoelectric effect and the spontaneous polarization inherent in nitrides on the ISBT is studied. Measured intersubband absorption wavelengths of Al_<0.65>Ga_<0.35>N/GaN multiquantum wells suggest the existence of a built-in field of about 2MV/cm. The built-in field in a thick well drastically shortens the ISBT wavelength and increases the intersubband relaxation time. On the other hand, the built-in field in barriers affects the formation of the second subband in thin wells. Suppression of the field in the barriers is important in achieving a short wavelength ISBT. |
| キーワード(和) | 光スイッチ / サブバンド間遷移 / 緩和時間 / ピエゾ電気効果 / 自発分極 / GaN |
| キーワード(英) | optical switches / intersubband transition / relaxation time / piezoelectric effect / spontaneous polarization / GaN |
| 資料番号 | PS98-79,OPE98-128,LQE98-121 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE |
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| 開催期間 | 1999/1/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Optoelectronics (OPE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaN系量子井戸のサブバンド間遷移に対するビルトイン電界の影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of built-in field on intersubband transition in GaN quantum wells |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 光スイッチ / optical switches |
| キーワード(2)（和/英） | サブバンド間遷移 / intersubband transition |
| キーワード(3)（和/英） | 緩和時間 / relaxation time |
| キーワード(4)（和/英） | ピエゾ電気効果 / piezoelectric effect |
| キーワード(5)（和/英） | 自発分極 / spontaneous polarization |
| キーワード(6)（和/英） | GaN / GaN |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 鈴木 信夫 / Nobuo Suzuki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)東芝先端半導体デバイス研究所 Advanced Semiconductor Devices Research Labs., Toshiba Corp. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 飯塚 紀夫 / Norio Iizuka |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)東芝先端半導体デバイス研究所 Advanced Semiconductor Devices Research Labs., Toshiba Corp. |
| 発表年月日 | 1999/1/19 |
| 資料番号 | PS98-79,OPE98-128,LQE98-121 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 507 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |