| 講演名 | 1999/1/19 長波長埋込型レーザのリーク電流の解析 渡辺 斉, 吉田 保明, 柴田 公隆, 武本 彰, |
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| 抄録(和) | 2次元デバイスシミュレータを用い, 埋込(BH)構造を有するInGaAsP長波長レーザの温度特性を決定する要因を解析した。少数キャリアの流れに着目した電流解析から, リーク電流は活性層をオーバーフローする電子電流およびInPのpnpnブロック層を流れる電子電流に大きく支配されることを示し, BH構造レーザの高温での特性温度Toはリーク電流量で決定されることを明らかにした。また実際のレーザ端面のInP層の発光量からリーク電流を評価した結果、発光量がブロック層幅および活性層の量子井戸構造に依存することが明らかになり、シミュレーションを裏付ける結果が得られた。 |
| 抄録(英) | The temperature characteristics of InGaAsP/InP buried heterostructure lasers with p-n-p-n blocking layers have been numerically analyzed using a two-dimensional (2-D) device simulator. According to the analysis of minority carrier flow, the characteristic temperature (To) in high temperature is determined by both of heterobarrier leakage and electrons flowing through the p-n-p-n blocking layers. Experimental estimation of electro-luminessance (EL) emitting from InP layers shows the obvious dependence on the width of blocking layers and well number in the active layer. These results are consistent with the simulation. |
| キーワード(和) | 埋込型レーザ / シミュレーション / 温度特性 / リーク電流 |
| キーワード(英) | buried heterostructure laser / simulation / temperature characteristics / leakage current |
| 資料番号 | PS98-72,OPE98-121,LQE98-114 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE |
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| 開催期間 | 1999/1/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Optoelectronics (OPE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 長波長埋込型レーザのリーク電流の解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of Leakage Current in Buried Heterostructure Lasers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 埋込型レーザ / buried heterostructure laser |
| キーワード(2)（和/英） | シミュレーション / simulation |
| キーワード(3)（和/英） | 温度特性 / temperature characteristics |
| キーワード(4)（和/英） | リーク電流 / leakage current |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 渡辺 斉 / H. Watanabe |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部 Mitsubishi Electric Corporation, High Frequency & Optical Semiconductor Division |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 吉田 保明 / Y. Yoshida |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部 Mitsubishi Electric Corporation, High Frequency & Optical Semiconductor Division |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 柴田 公隆 / K. Shibata |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部 Mitsubishi Electric Corporation, High Frequency & Optical Semiconductor Division |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 武本 彰 / A. Takemoto |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部 Mitsubishi Electric Corporation, High Frequency & Optical Semiconductor Division |
| 発表年月日 | 1999/1/19 |
| 資料番号 | PS98-72,OPE98-121,LQE98-114 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 507 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |