| 講演名 | 1999/1/19 金属微小開口をもつ面発光レーザの近接場解析 品田 聡, 小山 二三夫, 鈴木 耕一, 西山 伸彦, 伊賀 健一, |
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| 抄録(和) | 本研究は, 2次元アレイ化が容易な面発光レーザにおいて出射開口を微小化することで近接場光を発生させ、高密度記録に利用する新しい手法の基礎検討を目的としている.今回は, 近接場光を発生するための金属微小開口をもつ面発光レーザの構造を提案するとともに, この微小開口から染み出す近接場光について, 開口幅, 偏波方向などをパラメータに2次元の有限要素法による解析を行った。これにより開口からの透過強度を見積もり, 回折限界を超えた100nm程度に局在した近接場光生成の可能性を見出した.また予備実験として微小開口形成前の金薄膜を取り付けた0.85μmのGaAs/AlGaAs面発光レーザを製作し, その膜厚に対するレーザ特性を測定した。 |
| 抄録(英) | We present a novel method of producing evanescent waves using vertical cavity surface emitting lasers (VCSELs) with a metal micro-aperture for high density data storage. In this report, we propose a novel VCSEL with micro-aperture and analyze evanescent waves emitted from the micro-aperture by using a 2-dimensional finite element method (FEM). We have obtained a transmissivity through the aperture which depends on Au thickness, aperture size, and polarization. We found a possibility of generating light waves confined in the aperture as small as 100nm. In addition, we have fabricated a 0.85μm GaAs/AlGaAs VCSEL loaded by a Au thin film. |
| キーワード(和) | 面発光レーザ / 近接場光 / 高密度記録 / 2次元有限要素法 |
| キーワード(英) | VCSELs / Near-field Optics / High density data storage / 2-D FEM |
| 資料番号 | PS98-69,OPE98-118,LQE98-111 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE |
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| 開催期間 | 1999/1/19(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Optoelectronics (OPE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 金属微小開口をもつ面発光レーザの近接場解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Near-field Analysis of Micro-Aperture Surface Emitting Laser |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 面発光レーザ / VCSELs |
| キーワード(2)（和/英） | 近接場光 / Near-field Optics |
| キーワード(3)（和/英） | 高密度記録 / High density data storage |
| キーワード(4)（和/英） | 2次元有限要素法 / 2-D FEM |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 品田 聡 / S. Shinada |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所 P & I Lab., Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小山 二三夫 / F. Koyama |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所 P & I Lab., Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 鈴木 耕一 / K. Suzuki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所 P & I Lab., Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 西山 伸彦 / N. Nishiyama |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所 P & I Lab., Tokyo Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 伊賀 健一 / K. Iga |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所 P & I Lab., Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1999/1/19 |
| 資料番号 | PS98-69,OPE98-118,LQE98-111 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 507 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |