| 講演名 | 1994/9/16 送受LD(LEADダイオード)の温度特性 須崎 泰正, 松本 信一, 東盛 裕一, 黒崎 武志, 福田 光男, |
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| 抄録(和) | 光加入者システムにおいてTCM方式のようにLDとPDを交互に動作させる伝送方式では、半導体レーザとフォトダイオードとを一素子で共用した送受LD(LEADダイオード)は部品点数の低減が図れるため低コスト化に有望なデバイスの一つである。本報告では,LDとしてだけでなく,PDとしても良好な特性を示すように構成を検討し,良好な動作特性を得た。またLEADダイオードのLDとPDとの高速切り替えや零バイアス駆動を行うためFe-InPによる高抵抗埋め込み構造を採用し,従来のpn埋め込み構造に比べて大幅に素子容量を低減した。本報告ではLEADダイオードのPDとしての温度特性や動作特性について検討した。 |
| 抄録(英) | In optical subscriber systems,especially in TCM(Time Compression Multiplexing)system,the LD-transceiver(Light Emitted And Detected diode,LEAD-diode)is very effective to reduce the cost of these optical compornents,because of decreasing optical parts and size. In this paper,we describe the design of the LEAD-diode which can show good performances not only as laser but also as photodetecter and we demonstrated good LD and PD performances of this LEAD-diode. We reduced the capacitance of the LEAD-diode using Fe-doped InP semi-insulating buried-heterostructures(SI-BH)less than that using PN buried-structures.Characteristics foucusing on the temperature variation are discussed experimentally. |
| キーワード(和) | 送受LD / バルク活性層 / 端面コーティング / 高抵抗埋め込み構造 |
| キーワード(英) | LD-transceiver / bulk-active layer / facet coating / SI-BH |
| 資料番号 | OPE94-59 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE |
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| 開催期間 | 1994/9/16(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Optoelectronics (OPE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 送受LD(LEADダイオード)の温度特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Temperature Characteristics of LD-transceiver(LEAD-diode) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 送受LD / LD-transceiver |
| キーワード(2)（和/英） | バルク活性層 / bulk-active layer |
| キーワード(3)（和/英） | 端面コーティング / facet coating |
| キーワード(4)（和/英） | 高抵抗埋め込み構造 / SI-BH |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 須崎 泰正 / Yasumasa Suzaki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NTT光エレクトロニクス研究所 NTT Opto-electronics Laboratries |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 松本 信一 / Shinichi Matsumoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NTT光エレクトロニクス研究所 NTT Opto-electronics Laboratries |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 東盛 裕一 / Yuichi Tohmori |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NTT光エレクトロニクス研究所 NTT Opto-electronics Laboratries |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 黒崎 武志 / Takeshi Kurosaki |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NTT光エレクトロニクス研究所 NTT Opto-electronics Laboratries |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 福田 光男 / Mitsuo Fukuda |
| 第 5 著者 所属（和/英） | NTT光エレクトロニクス研究所 NTT Opto-electronics Laboratries |
| 発表年月日 | 1994/9/16 |
| 資料番号 | OPE94-59 |
| 巻番号（vol） | vol.94 |
| 号番号（no） | 237 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |