| 講演名 | 1994/9/16 導波路型超格子APD 宍倉 正人, 中村 均, 花谷 昌一, 田中 滋久, 辻 伸二, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 10Gbit, sを越える超高速光伝送システムへ向けて、導波路構造を導入した超格子APDを提案し、遮断周波数に対する光電変換効率の計算結果からその有効性を示した。導波路型InAlAs/InGaAs超格子APDを試作し、導波路型超格子APDでは初めてアバランシェ増倍現象を確認した。また、最大増倍率50以上、最大遮断周波数11GHzを得、増倍率10における暗電流は0.3μWと良好な値を得た。また、素子長20μm程度で入射光を充分吸収できることが分かった。以上より、10Gbit/s越える超高速光伝送システムへの適用が期待される。 |
| 抄録(英) | A superlattice avalanche photodiode with a waveguide structure was proposed for ultra-high-speed optical communication systems above 10 Gbit, s.The advantage of waveguide superlattice avalanche photodiodes was shown by the calculated results between the 3-dB bandwidth and the conversion efficiency.The waveguide InAlAs / InGaAs superlattice avalanche photodiodes were fabricated and stable avalanche multiplication characteristics were observed on waveguide superlattice APDs for the first time in our knowledge.A maximum avalanche multiplication factor over 50 and a maximum 3-dB bandwidth of 11 GHz were demonstrated.The low dark current was 0.3 μA at a multiplication factor of 10.The device length of 20 μm is enough to absorb the incident light.These devices is expected to be applied to ultra-high-speed optical communication systems above 10 Gbit/s. |
| キーワード(和) | 導波路型 / 超格子APD / 利得帯域幅積 / 遮断周波数 / キャリア走行時間 |
| キーワード(英) | waveguide structure / Superlattice APD / gain-bandwidth product / 3-dB banduidth / carrier transit time |
| 資料番号 | OPE94-56 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE |
|---|---|
| 開催期間 | 1994/9/16(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Optoelectronics (OPE) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 導波路型超格子APD |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Waveguide superlattice avalanche photodiodes |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 導波路型 / waveguide structure |
| キーワード(2)（和/英） | 超格子APD / Superlattice APD |
| キーワード(3)（和/英） | 利得帯域幅積 / gain-bandwidth product |
| キーワード(4)（和/英） | 遮断周波数 / 3-dB banduidth |
| キーワード(5)（和/英） | キャリア走行時間 / carrier transit time |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 宍倉 正人 / Masato Shishikura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory,Hitachi Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中村 均 / Hitoshi Nakamura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory,Hitachi Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 花谷 昌一 / Shoichi Hanatani |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory,Hitachi Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 田中 滋久 / Shigehisa Tanaka |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory,Hitachi Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 辻 伸二 / Shinji Tsuji |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory,Hitachi Ltd. |
| 発表年月日 | 1994/9/16 |
| 資料番号 | OPE94-56 |
| 巻番号（vol） | vol.94 |
| 号番号（no） | 237 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |