講演名 1997/11/5
40Gb/s級光伝送IC用InP HBT
田上 知紀, 鈴木 秀幸, 渡辺 康一, 増田 宏, 大内 潔,
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抄録(和) 40Gb/級光伝送IC用として有望なInP/InGaAs HBTについて、回路シミュレ-ション用のモデルを開発した。トランジスタの自己発熱の効果とその周波数依存性を取り込み、直流からGHz帯域まで誤差10%程度の高精度を達成した。
抄録(英) A transistor model of InP/InGaAs HBT for circuit simulation has been developed. Self-heating effet and its frequency dependence were formulated and simulation error of less than 10% has been achieved.
キーワード(和) InP HBT / 40Gb/s光伝送 / トランジスタモデル
キーワード(英) Inp HBT / 40Gb/s optical communication / transistor model
資料番号 OPE97-118
発行日

研究会情報
研究会 OPE
開催期間 1997/11/5(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Optoelectronics (OPE)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 40Gb/s級光伝送IC用InP HBT
サブタイトル(和)
タイトル(英) InP heterojunction bippolar transistors for 40Gb/s optical communication ICs
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) InP HBT / Inp HBT
キーワード(2)(和/英) 40Gb/s光伝送 / 40Gb/s optical communication
キーワード(3)(和/英) トランジスタモデル / transistor model
第 1 著者 氏名(和/英) 田上 知紀 / T. Tanoue
第 1 著者 所属(和/英) (株)日立製作所中央研究所
Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory
第 2 著者 氏名(和/英) 鈴木 秀幸 / H. Suzuki
第 2 著者 所属(和/英) (株)日立製作所中央研究所
Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory
第 3 著者 氏名(和/英) 渡辺 康一 / K. Watanabe
第 3 著者 所属(和/英) (株)日立製作所中央研究所
Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory
第 4 著者 氏名(和/英) 増田 宏 / H. Masuda
第 4 著者 所属(和/英) (株)日立製作所中央研究所
Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory
第 5 著者 氏名(和/英) 大内 潔 / K. Ouchi
第 5 著者 所属(和/英) (株)日立製作所中央研究所
Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory
発表年月日 1997/11/5
資料番号 OPE97-118
巻番号(vol) vol.97
号番号(no) 362
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日