| 講演名 | 1995/11/21 選択成長技術によるGaN結晶の形状制御とその光導波路形成への検討 田中 俊明, 内田 憲治, 渡辺 明禎, 皆川 重量, |
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| 抄録(和) | 窒化物系半導体に対して選択成長技術を適用することにより、核形成領域の制限や成長種元素のマイグレーションを利用した核生成密度の向上を図った結晶成長が期待できる。これをもとに、平坦かつ平滑な結晶面からなる低損失光導波路の作製を試みた。サファイア基板の表面窒化処理や成長温度他の最適結晶成長条件を検討することにより、断面形状を矩形状とした光導波路が選択成長できることを見出した。またGaN結晶層からなる矩形状光導波路を劈開によって切り出し、YAGレーザの第三高調波355nm線を用いて一様に光励起した結果、温度77Kにおいて発光波長362nmのピーク強度が励起光密度0.05MW/cm^2以上で非線形的に増大することを観測した。さらに、励起強度を大きくしていった場合、ピーク半値幅は弱励起時の約1/6に縮小し、ピーク位置は長波長側へシフトしていくことを明かにした。これらの測定結果により、選択成長光導波路中で共振増幅した誘導放出光を確認できた。 |
| 抄録(英) | We have intended to control cross-sectional shape of III-V nitride materials for low-loss optical waveguides by applying selective-growth technique which promotes high-density uniform nucleation due to the migration of group-III elements. Optimized crystal-growth conditions such as substrate nitridation and growth temperature enable us to form optical waveguides with a rectangular cross-section on sapphire substrates. It is found that the peak intensity at 362 nm of optically-pumped emission from GaN rectangular optical waveguides is superlinearly intensified at 77 K relative to the excitation power density larger than 0.05 MW/cm^2 using the 355-nm line of YAG THG. Increasing the power density, a full width at half maximum of the peak intensity becomes less than one-sixth of its previous value and the peak shifts to longer wavelengths. These results imply that optically-pumped stimulated emission, which is guided in the selectively-grown optical waveguide and is resonated between Fabry-Perot mirror facets, can be observed. |
| キーワード(和) | 窒化物系半導体 / 選択成長技術 / 低損失光導波路 / 最適結晶成長条件 / 矩形状断面 / 光励起誘導放出光 |
| キーワード(英) | III-V nitride materials / Selective growth technique / Low-loss optical waveguides / Optimized crystal-growth conditions / Rectangular cross-sectional shape / Optically-pumped stimulated emission |
| 資料番号 | OPE95-100 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE |
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| 開催期間 | 1995/11/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Optoelectronics (OPE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 選択成長技術によるGaN結晶の形状制御とその光導波路形成への検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Cross-sectional shape control of GaN crystals grown on sapphire substrates and its application to formation of optical waveguides by selective-growth technique |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化物系半導体 / III-V nitride materials |
| キーワード(2)（和/英） | 選択成長技術 / Selective growth technique |
| キーワード(3)（和/英） | 低損失光導波路 / Low-loss optical waveguides |
| キーワード(4)（和/英） | 最適結晶成長条件 / Optimized crystal-growth conditions |
| キーワード(5)（和/英） | 矩形状断面 / Rectangular cross-sectional shape |
| キーワード(6)（和/英） | 光励起誘導放出光 / Optically-pumped stimulated emission |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 田中 俊明 / T. Tanaka |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 内田 憲治 / K. Uchida |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 渡辺 明禎 / A. Watanabe |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 皆川 重量 / S. Minagawa |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 発表年月日 | 1995/11/21 |
| 資料番号 | OPE95-100 |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 377 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |