| 講演名 | 1995/11/21 MOVPE法による GaN 結晶成長におけるバッファ層の効果 石橋 明彦, 武石 英見, 萬濃 正也, 薮内 康文, 伴 雄三郎, |
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| 抄録(和) | サファイア基板上へのGaN単結晶の2ステップMOVPE成長において、昇温中に起きるGaNバッファ層の配向性の変化に着目して、GaN単結晶の結晶性の向上及び欠陥の発生機構について調べた。GaNバッファ層の成長温度(T_B)の比較検討を行った結果、T_B=500℃のバッファ層の場合は多結晶的で昇温と共に単結晶化し、バッファ層上に成長したGaNのラフネスの増大及び転位や双晶の発生が起こりやすいの対し、T_B=600tのバッファ層は単結晶性が強く昇温に伴う結晶性の変化が無く転位のみを発生させることがわかった。以上のことよりバッファ層にはas-grownで表面近傍の単結晶性が強く、かつ昇温に対して安定な状態が好ましいと推察され、この場合GaN内には双晶の発生も無く(転位密度:～1×10^9cm^<-2>)、フォトルミネッセンスにおいてバンド端発光が強く、かつ高抵抗な高品質GaN単結晶の成長が可能である。 |
| 抄録(英) | The improvement of crystallinity and the creation of native defects for two-step MOVPE grown GaN films have been investigated, taking account of the change of the GaN buffer layer crystallinity during thermal annealing. The buffer layer grown at 500℃ had poly crystalline quality, which was changed to single crystalline quality by thermal annealing. The surface roughness of the GaN film grown on the buffer layer increased, and the defects, such as dislocations or twins, were created in the GaN film. On the other hand the bufferlayer grown at 600℃ had single crystalline quality and it was hardly changed during annealing. In this case, there were only dislocations in the GaN films grown on the buffer layer. Therefore, it is supposed that using the buffer layer with highly crystalline surface, high quality GaN films, which show strong band edge emission in photoluminescence and high resistivity, can be grown. |
| キーワード(和) | MOVPE / Gan / GaNバッファ層 / サファイア基板 / 熱処理 / 欠陥 |
| キーワード(英) | MOVPE / GaN / GaN buffer layer / sapphire substrate / thermal annealing / defect |
| 資料番号 | OPE95-98 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE |
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| 開催期間 | 1995/11/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Optoelectronics (OPE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOVPE法による GaN 結晶成長におけるバッファ層の効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effects of Buffer Layers on GaN MOVPE Growth |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(2)（和/英） | Gan / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | GaNバッファ層 / GaN buffer layer |
| キーワード(4)（和/英） | サファイア基板 / sapphire substrate |
| キーワード(5)（和/英） | 熱処理 / thermal annealing |
| キーワード(6)（和/英） | 欠陥 / defect |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 石橋 明彦 / Akihiko Ishibashi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)半導体研究センター Semiconductor research Center, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 武石 英見 / Hidemi Takeishi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)半導体研究センター Semiconductor research Center, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 萬濃 正也 / Masaya Mannoh |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)半導体研究センター Semiconductor research Center, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 薮内 康文 / Yassfumi Yabuuchi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)松下テクノリサーチ Matsushita Technoreserch Inc. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 伴 雄三郎 / Yuzaburoh Ban |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)半導体研究センター Semiconductor research Center, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., |
| 発表年月日 | 1995/11/21 |
| 資料番号 | OPE95-98 |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 377 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |