| 講演名 | 1995/12/14 MBE法によるInP基板上ZnCdSe/MgZnCdSe混晶系の結晶成長と評価 森田 敏弘, 新保 宏幸, 野村 一郎, 菊池 昭彦, 岸野 克巳, |
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| 抄録(和) | 分子線エピタキシー(MBE)法により、InP基板上に格子整合する、Mg組成比0～0.63のMgZnCdSe単層膜、及びZnCdSe/MgZnCdSeダプルヘテロ構造の成長を行った。15Kにおけるフォトルミネッセンス(PL)測定により、成長した試料の禁制帯幅は2.17～3.12eVであることが判った。また、MgZnCdSe混晶の反射率測定より屈折率の算出を行った。ZnCdSe/MgZnCdSe量子井戸構造を作製したところ、15Kにおいて深い準位からの発光のないシャープなPLスペクトルが得られた。また、室温においてもZnCdSe井戸層からの強いPL発光が観測された。また、ZnCdSe/MgZnCdSe MQW-SCH構造を作製し、77Kにおいてパルス電流を注入したところ、MgZnCdSe混晶系では初めてのエレクトロルミネッセンス(EL)発光が観察されたのであわせて報告する。 |
| 抄録(英) | Mg_x(Zn_yCd_<1-y>)Se(x=0～0.63) compounds and ZnCdSe/MgZnCdSe doublehetero-structures lattice-matching to InP substrates were grown by molecular beam epitaxy (MBE). The bandgap energy of these layers from 2.17 to 3.12 eV at 15K were evaluated by photoluminescence (PL) measurement. Refractive indices of MgZnCdSe compounds were calculated from reflectance measurements. ZnCdSe/MgZnCdSe quantum-well structures were fabricated. Sharp PL spectrum without deep level emission at 15K and strong PL emission from ZnCdSe quantum-well layer at room temperature were observed. And then, ZnCdSe/MgZnCdSe multi-quantum-well structures were fabricated. Electro-luminescence emissions under pulsed operation at 77K were observed for the first time in MgZnCdSe systems. |
| キーワード(和) | MgZnCdSe混晶 / 禁制帯幅 / 屈折率 / ZnCdSe/MgZnCdSe量子井戸構造 / EL発光 |
| キーワード(英) | MgZnCdSe compounds / bandgap energy / refractive indices / ZnCdSe/MgZnCdSe quantum-well structure / electro-luminescence emissions |
| 資料番号 | OPE95-119 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE |
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| 開催期間 | 1995/12/14(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Optoelectronics (OPE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MBE法によるInP基板上ZnCdSe/MgZnCdSe混晶系の結晶成長と評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Molecular Beam Epitaxial Growth and Evaluation of ZnCdSe/MgZnCdSe Compounds on InP Substrates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MgZnCdSe混晶 / MgZnCdSe compounds |
| キーワード(2)（和/英） | 禁制帯幅 / bandgap energy |
| キーワード(3)（和/英） | 屈折率 / refractive indices |
| キーワード(4)（和/英） | ZnCdSe/MgZnCdSe量子井戸構造 / ZnCdSe/MgZnCdSe quantum-well structure |
| キーワード(5)（和/英） | EL発光 / electro-luminescence emissions |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 森田 敏弘 / Toshihiro MORITA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 上智大学 電気電子工科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Sophia University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 新保 宏幸 / Hiroyuki SHINBO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 上智大学 電気電子工科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Sophia University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 野村 一郎 / Ichirou NOMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 上智大学 電気電子工科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Sophia University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 菊池 昭彦 / Akihiko KIKUCHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 上智大学 電気電子工科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Sophia University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 岸野 克巳 / Katsumi KISHINO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 上智大学 電気電子工科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Sophia University |
| 発表年月日 | 1995/12/14 |
| 資料番号 | OPE95-119 |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 415 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |