講演名 | 1997/7/25 FETの寄生リアクタンス成分を含むインバータ回路を用いたV帯低雑音HMIC増幅器 内田 浩光, 繁昌 秀史, 伊藤 康之, |
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抄録(和) | FETの寄生リアクタンス成分を含むバンドパスフィルタを用いて入力整合回路を構成したミリ波低雑音HMIC増幅器の設計及び試作結果について述べる. この整合回路はボンディングワイヤなどによりFETの寄生リアクタンス成分が大きくなるような高い周波数で有効であり, バンドパスフィルタ回路内の直列のキャパシタンスをDCカット用の結合線路で構成することで増幅器の小型化, 高利得化を図ることができる. |
抄録(英) | This report describes the design, fabrication and performance of a millimeter-wave low-noise HMIC amplifier with band-pass filters including FET's parasitic reactances. The amplifier is useful at the high frequency where FET has considerably large reactance, and has a feature that a miniaturized size can be achieved by employing a coupled line for d.c. blocking. |
キーワード(和) | ミリ波 / HMIC / 寄生リアクタンス / 結合線路 |
キーワード(英) | millmeter-wave / HMIC / parasitic reactances / coupled line |
資料番号 | CQ97-32 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | CQ |
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開催期間 | 1997/7/25(から1日開催) |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Communication Quality (CQ) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | FETの寄生リアクタンス成分を含むインバータ回路を用いたV帯低雑音HMIC増幅器 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | V-Band Low Noise HMIC Amplifier with an Impedance Inverter Including FET's Parasitic Reactances |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | ミリ波 / millmeter-wave |
キーワード(2)(和/英) | HMIC / HMIC |
キーワード(3)(和/英) | 寄生リアクタンス / parasitic reactances |
キーワード(4)(和/英) | 結合線路 / coupled line |
第 1 著者 氏名(和/英) | 内田 浩光 / Hiromitsu Uchida |
第 1 著者 所属(和/英) | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
第 2 著者 氏名(和/英) | 繁昌 秀史 / Hideshi Hanjyo |
第 2 著者 所属(和/英) | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
第 3 著者 氏名(和/英) | 伊藤 康之 / Yasushi Itoh |
第 3 著者 所属(和/英) | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
発表年月日 | 1997/7/25 |
資料番号 | CQ97-32 |
巻番号(vol) | vol.97 |
号番号(no) | 190 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |