| 講演名 | 1997/7/25 Dual Gate HEMTを用いたKa帯高利得・低雑音可変利得MMIC増幅器 柏 卓夫, 加藤 隆幸, 石田 多華生, 野谷 佳弘, 小丸 真喜雄, 三井 康郎, |
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| 抄録(和) | AIGaAs/InGaAs pseudomorphicデュアルゲートHEMTを用いたKa帯可変利得MMIC増幅器(VGA MMIC)において優れた特性を得たので報告する. デュアルゲートHEMTはシングルゲートHEMTと同じプロセスで形成することが可能である. 低雑音特性を得るために, VGA MMICの初段にはシングルゲートHEMTを用いた. また, 2段目および3段目には高利得特性かつ広い利得制御特性を得るためにデュアルゲートHEMTを用いた. 試作の結果, 周波数30～35GHzにおいて利得30dB以上, 利得制御範囲50dB以上が得られた. 雑音が最小になるバイアス条件では, 周波数33GHzにおいて雑音指数1.4dB, 付随利得29.2dBと良好な特性が得られた. |
| 抄録(英) | This paper describes the excellent performance of a Ka-Band monolithic variable gain amplifier (VGA MMIC) using AlGaAs/InGaAs pseudomorphic dual gate HEMTs. The dual gate HEMTs can be fabricated by the same process as a single gate HEMT. To achieve low noise performance, a single gate HEMT is employed in the first stage of the VGA MMIC. However, in the second stage and third stage, dual gate HEMTs are used for gain control performance with higher gain. The VGA MMIC achieves more than 30 dB gain with more than 50 dB gain control range from 30 GHz to 35 GHz. A noise figure of 1.4 dB with an associated gain of 29.2 dB is achieved at 33 GHz when biased for a low noise performance. |
| キーワード(和) | ミリ波 / デュアルゲート / HEMT / 利得制御 / 低雑音 |
| キーワード(英) | Millimeter-wave / Dual gate / HEMT / Gain control / Low noise |
| 資料番号 | CQ97-31 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CQ |
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| 開催期間 | 1997/7/25(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Communication Quality (CQ) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Dual Gate HEMTを用いたKa帯高利得・低雑音可変利得MMIC増幅器 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Ka-BAND HIGH GAIN, LOW NOISE VARIABLE GAIN MMIC AMPLIFIER USING DUAL GATE HEMTs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ミリ波 / Millimeter-wave |
| キーワード(2)（和/英） | デュアルゲート / Dual gate |
| キーワード(3)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(4)（和/英） | 利得制御 / Gain control |
| キーワード(5)（和/英） | 低雑音 / Low noise |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 柏 卓夫 / Takuo KASHIWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所 Optoelectronic & Microwave Devices Laboratory Mitsubishi Electric Corporatoin |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 加藤 隆幸 / Takayuki KATOH |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所 Optoelectronic & Microwave Devices Laboratory Mitsubishi Electric Corporatoin |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 石田 多華生 / Takao ISHIDA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所 Optoelectronic & Microwave Devices Laboratory Mitsubishi Electric Corporatoin |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 野谷 佳弘 / Yoshihiro NOTANI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所 Optoelectronic & Microwave Devices Laboratory Mitsubishi Electric Corporatoin |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 小丸 真喜雄 / Makio KOMARU |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所 Optoelectronic & Microwave Devices Laboratory Mitsubishi Electric Corporatoin |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 三井 康郎 / Yasuo MITSUI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所 Optoelectronic & Microwave Devices Laboratory Mitsubishi Electric Corporatoin |
| 発表年月日 | 1997/7/25 |
| 資料番号 | CQ97-31 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 190 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |