| 講演名 | 2001/2/16 力率改善回路を有する三相入力整流装置におけるサージ耐量について 後藤 至宏, 小堤 正夫, 村上 直樹, 尾形 努, 島野 良紀, |
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| 抄録(和) | 通信用電源などの整流装置の入力力率を改善するためには、整流部にPWMコンバータ方式を適用することが有効である。一方、整流装置の入力には、雷サージのほかに開閉サージが重畳される。この開閉サージは、雷サージに比べサージ電圧は比較的低いが、印加時間が数msecと長く、エネルギー量の大きなサージである。本報告では、従来の整流方式であるダイオードブリッジ方式と、PWMコンバータ方式における開閉サージ耐量を測定し、後者の耐量が劣っていることを明らかにしている。さらに、PWMコンバータ方式のサージ耐量を向上させるため、入力電圧、電流を検出し、サージ入力時にPWMコンバータの動作を停止し、ダイオードブリッジ整流方式と等価の動作とすることにより、整流装置の出力を断とすることなく、ダイオード整流方式と同等のサージ耐量とすることができることを明らかにした。 |
| 抄録(英) | We compared the surge immunity of the PWM converter of a three-phase 200V input rectifier for powering telecommunications equipment, with the surge immunity of the diode bridge rectification circuit. As a result, the PWM converter has smaller surge immunity than the diode rectification circuit for applying a switching surges, which has a relatively long duration on the order of several ms and thus represents a large amount of energy. It is possible to increase the PWM converter surge immunity equivalent to that obtained with the diode rectification circuit without increase of power dissipation by monitoring the input voltage and the input current, and when these exceed their prescribed values, stopping the PWM converter operation, thereby making the PWM converter function as a diode bridge rectificaton circuit. |
| キーワード(和) | サージ耐量 / 開閉サージ / PWMコンバータ / 力率改善回路 / MOSFET |
| キーワード(英) | surge immunity / switching surge / PWM converter / Power Factor Correction circuit / MOSFET |
| 資料番号 | EE2000-67 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EE |
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| 開催期間 | 2001/2/16(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Energy Engineering in Electronics and Communications (EE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 力率改善回路を有する三相入力整流装置におけるサージ耐量について |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Surge Immunity of Three-Phase High Power-Factor Rectifier |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | サージ耐量 / surge immunity |
| キーワード(2)（和/英） | 開閉サージ / switching surge |
| キーワード(3)（和/英） | PWMコンバータ / PWM converter |
| キーワード(4)（和/英） | 力率改善回路 / Power Factor Correction circuit |
| キーワード(5)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 後藤 至宏 / Yoshihiro GOTO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)エヌ・ティ・ティ ファシリティーズ 事業推進本部電源サービス事業部 NTT FACILITIES, INC. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小堤 正夫 / Masao KOZUTSUMI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)エヌ・ティ・ティ ファシリティーズ 事業推進本部電源サービス事業部 NTT FACILITIES, INC. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 村上 直樹 / Naoki MURAKAMI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)エヌ・ティ・ティ ファシリティーズ 研究開発部 NTT FACILITIES, INC. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 尾形 努 / Tsutomu OGATA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)エヌ・ティ・ティ ファシリティーズ 事業推進本部電源サービス事業部 NTT FACILITIES, INC. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 島野 良紀 / Yoshinori SHIMANO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)エヌ・ティ・ティ ファシリティーズ 首都圏事業本部 NTT FACILITIES, INC. |
| 発表年月日 | 2001/2/16 |
| 資料番号 | EE2000-67 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 628 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |