講演名 | 2001/1/19 厚さの異なるSiO_2キャップを用いた歪量子井戸選択的無秩序化によるレーザと受動素子の集積化 福本 豊, 島田 尚往, 上向井 正裕, 栖原 敏明, 西原 浩, |
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抄録(和) | モノリシック光集積デバイスにおける低損失受動導波路形成のための技術として、2種類の厚さのSiO_2キャップと高速熱処理を用いる量子井戸選択的無秩序化について検討した。膜厚の差による無秩序化の程度の違いを、フォトルミネッセンス測定により確認した。この技術を用いることで、同一基板上で23nmのレーザ発振波長差を得た。無秩序化した導波路を集積化したレーザを作製し、受動導波路損失を評価し、無秩序化しない場合の40cm^<-1>から3cm^<-1>に顕著に低減できた。さらにグレーティング領域の量子井戸を無秩序化した分布ブラッグ反射型レーザを作製し、レーザ特性の大幅な改善を達成した。 |
抄録(英) | Selective quantum well disordering using thick and thin SiO_2 caps and rapid thermal annealing was investigated. Fabry-Perot lasers were fabricated on a selectively-disordered wafer, and lasing wavelength difference of 23nm was obtained between the lasers in 300-nm and 30-nm capped areas. We fabricated Fabry-Perot lasers integrated with disordered passive waveguides, and obtained passive waveguide loss reduction from 40 cm^<-1> to 3 cm^<-1>. We fabricated distributed Bragg reflector lasers with quantum well disordered in the grating area, and achieved considerable improvement of laser characteristics compared to lasers without disordering. |
キーワード(和) | 半導体レーザ / モノリシック集積化 / 量子井戸無秩序化 / 高速熱処理 |
キーワード(英) | semiconductor laser / monolithic integration / quantum well disordering / rapid thermal annealing |
資料番号 | PS2000-68,OFT2000-78,OPE2000-130,LQE2000-111 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | OFT |
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開催期間 | 2001/1/19(から1日開催) |
開催地(和) | |
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委員長氏名(和) | |
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幹事補佐氏名(和) | |
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講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Optical Fiber Technology (OFT) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 厚さの異なるSiO_2キャップを用いた歪量子井戸選択的無秩序化によるレーザと受動素子の集積化 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Integration of Laser and Passive Elements using Selective QW Disordering with SiO_2 Caps of Different Thicknesses |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 半導体レーザ / semiconductor laser |
キーワード(2)(和/英) | モノリシック集積化 / monolithic integration |
キーワード(3)(和/英) | 量子井戸無秩序化 / quantum well disordering |
キーワード(4)(和/英) | 高速熱処理 / rapid thermal annealing |
第 1 著者 氏名(和/英) | 福本 豊 / Yutaka Fukumoto |
第 1 著者 所属(和/英) | 大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Osaka University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 島田 尚往 / Naoyuki Shimada |
第 2 著者 所属(和/英) | 大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Osaka University |
第 3 著者 氏名(和/英) | 上向井 正裕 / Masahiro Uemukai |
第 3 著者 所属(和/英) | 大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Osaka University |
第 4 著者 氏名(和/英) | 栖原 敏明 / Toshiaki Suhara |
第 4 著者 所属(和/英) | 大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Osaka University |
第 5 著者 氏名(和/英) | 西原 浩 / Hiroshi Nishihara |
第 5 著者 所属(和/英) | 大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Osaka University |
発表年月日 | 2001/1/19 |
資料番号 | PS2000-68,OFT2000-78,OPE2000-130,LQE2000-111 |
巻番号(vol) | vol.100 |
号番号(no) | 589 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |