| 講演名 | 2000/7/20 OCS2000-31 / PS2000-15 / OFT2000-27 ハイパワー受光用導波路型フォトダイオードを用いた無線伝送特性 加藤 辰也, 小川 理, |
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| 抄録(和) | 導波路型PDの吸収層を薄膜化することにより、ハイパワー光受光下における素子の感度低下は抑制される。しかし、この素子を低バイアス電圧で動作させるためにノンドープ層全体を薄膜化すると、素子容量が増大し周波数応答特性の著しい劣化を招く。そこで、導波路長の短縮により容量を低減した素子を試作・評価したところ、大幅な改善がみられ、400MHz帯において最大42.4mWのRF出力を得ることができた。この導波路型PDを用いた、同周波数帯の無線伝送実験では、パワーペナルティは0.6dBであった。これらの結果から、簡易なマイクロ波フォトニクス無線システムを、電気増幅器を用いることなく構成できる可能性を見いだした。 |
| 抄録(英) | Waveguide PD's sensitivity deterioration in the case of high power reception is relieved by thinning an absorption layer of the device. However, thinning the entire non-dope layer for the sake of operating bias voltage reduction increases the capacitance and ends up with remarkably worsenning in its frequency response. Therefore, we made and tested an experimental PD with shorter waveguide and small capacitance, and found that it exhibited outstanding improvement of the characteristics together with 42.4mW RF output at 400MHz band. On the wireless transmission test, the value of power penalty was 0.6dB at the same frequency. From these results, we expects a possibility of making up a simple wireless communication system without any electric amplifier. |
| キーワード(和) | 導波路型フォトダイオード / 薄膜吸収層 / 低バイアス電圧 / マイクロ波フォトニクス |
| キーワード(英) | waveguide photodiode / thin absorption layer / low bias voltage / micro wave photonics |
| 資料番号 | OCS2000-31,PS2000-15,OFT2000-27 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OFT |
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| 開催期間 | 2000/7/20(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Optical Fiber Technology (OFT) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | OCS2000-31 / PS2000-15 / OFT2000-27 ハイパワー受光用導波路型フォトダイオードを用いた無線伝送特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characteristics of Wireless Transmission using Waveguide Photodiodes for High Power Receiving System |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 導波路型フォトダイオード / waveguide photodiode |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜吸収層 / thin absorption layer |
| キーワード(3)（和/英） | 低バイアス電圧 / low bias voltage |
| キーワード(4)（和/英） | マイクロ波フォトニクス / micro wave photonics |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 加藤 辰也 / Tatsuya KATO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京電力株式会社 システム研究所 Computer & Communications R&D Center, Tokyo Electric Power Company |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小川 理 / Osamu OGAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京電力株式会社 システム研究所 Computer & Communications R&D Center, Tokyo Electric Power Company |
| 発表年月日 | 2000/7/20 |
| 資料番号 | OCS2000-31,PS2000-15,OFT2000-27 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 233 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |