| 講演名 | 2003/12/11 半睡状態における聴性誘発脳磁場の変化(「感性情報処理の基礎と応用」並びにヒューマン情報処理一般)(視聴覚脳機能) 初坂 奈津子, 樋口 正法, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 脳磁図(Magneto enceohalo eraphv : MEG)を用いた徳性誘発脳磁場の測定では,覚醒時での反応は知られているが半睡状態やまどろみ状態での反応はまだ知られていない.本研究では,半睡状態における聴性誘発脳磁場の変化を明らかにすることを目標とする.覚醒時の聴性誘発脳磁場は,N1mと呼ばれる1次聴覚野の反応と,P2mと呼ばれる2次聴覚野の反応がみられる.しかし半睡状態ではN1mの振幅と,その後にそれより大きな振幅が現れる.その振幅の潜時は約200msで,そのピークに対する信号源は2次聴覚野ではなく深部にあることが確認された.これは聴覚の反応ではなく半睡時固有なものてあり,音刺激と同期して反応が現れたことが考えられる. |
| 抄録(英) | Many studies have reported auditory evoked brain magnetic field in awaken, but not in half-sleep state. We investigated change of auditory evoked brain magnetic field in a half-sleep state. We found N1m response, which generally observed in awakening conditions, and some lager response at latency of 200ms. The second response was inferred as a response from deeper source than secondary hearing cortex. We suggest that the second response is exclusively observed in a half-sleep state at the same timing as P2m response. |
| キーワード(和) | 脳磁図 / 半睡 / 聴性誘発脳磁場 / N1m / P2m |
| キーワード(英) | MEG / half-sleep / auditory evoked brain magnetic field / N1m / P2m |
| 資料番号 | HIP2003-79 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | HIP |
|---|---|
| 開催期間 | 2003/12/11(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Human Information Processing (HIP) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 半睡状態における聴性誘発脳磁場の変化(「感性情報処理の基礎と応用」並びにヒューマン情報処理一般)(視聴覚脳機能) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Change of auditory evoked brain magnetic field in a half-sleep state |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 脳磁図 / MEG |
| キーワード(2)（和/英） | 半睡 / half-sleep |
| キーワード(3)（和/英） | 聴性誘発脳磁場 / auditory evoked brain magnetic field |
| キーワード(4)（和/英） | N1m / N1m |
| キーワード(5)（和/英） | P2m / P2m |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 初坂 奈津子 / Natsuko Hatsusaka |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 石川県産業創出支援機構 Ishikawa Sunrise Industries Creation Organization, Collaboration of Regional Entities for the Advancement of Technological Excellence |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 樋口 正法 / Masanori Higuchi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学先端電子技術応用研究所 I Applied Electronics Laboratory, Kanazawa Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2003/12/11 |
| 資料番号 | HIP2003-79 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 521 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |