| 講演名 | 2004/8/20 フリップチップ実装用40Gbps導波路型PD(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般) 中路 雅晴, 石村 栄太郎, 花巻 吉彦, 青柳 利隆, 西村 隆司, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 1.31μm/1.55μm帯兼用のフリップチップ実装用40Gbps導波路型PDの開発を行った。非対称導波路構造を用いることで,両波長帯に対して0.8A/W以上の高い感度が得られ,帯域も45GHz以上と良好であった。フリップチップ実装技術を用いて,ワイヤーの寄生インダクタンスを抑えたPDプリアンプモジュールを試作した結果,1.31μm,1.55μmの各入射光波長に対して,最小受信感度:-6.4dBm,-6.1dBmと両波長ともITU-T G693規格に準拠する特性が得られた。 |
| 抄録(英) | We have developed 40Gbps waveguide-photodiode for flip-chip bonding. The high sensitivity over 0.8A/W has been realized by the asymmetric waveguide structure for 1.3μm and 1.55μm wavelength and high bandwidth over 45GHz has been obtained by Fe doped InP burying layer. PD-preamp modules fabricated flip-chip bonding technique, which can reduce the inductance of the bonding wire, have obtained the receiver sensitivity of -6.4dBm at 1.31μm and -6.1dBm at 1.55μm based on ITU-T G693 |
| キーワード(和) | 非対称導波路 / フリップチップ実装 / 40Gbps / 導波路型PD / 1.31μ/1.55μm帯兼用 |
| キーワード(英) | asymmetric waveguide / flip-chip bonding / 40Gbps / waveguide-photodiode |
| 資料番号 | EMD2004-46,CPM2004-72,OPE2004-129,LQE2004-44 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
|---|---|
| 開催期間 | 2004/8/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | フリップチップ実装用40Gbps導波路型PD(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 40Gbps Waveguide Photodiode for flip-chip assembly |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 非対称導波路 / asymmetric waveguide |
| キーワード(2)（和/英） | フリップチップ実装 / flip-chip bonding |
| キーワード(3)（和/英） | 40Gbps / 40Gbps |
| キーワード(4)（和/英） | 導波路型PD / waveguide-photodiode |
| キーワード(5)（和/英） | 1.31μ/1.55μm帯兼用 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中路 雅晴 / Masaharu Nakaji |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)光素子開発部 Mitsubishi electric corp. Optoelectronics device development dept. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 石村 栄太郎 / Eitaro Ishimura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)光素子開発部 Mitsubishi electric corp. Optoelectronics device development dept. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 花巻 吉彦 / Yoshihiko Hanamaki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)光素子部 Mitsubishi electric corp. Optoelectronics device dpt. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 青柳 利隆 / Toshitaka Aoyagi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)光素子開発部 Mitsubishi electric corp. Optoelectronics device development dept. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 西村 隆司 / Takashi Nishimura |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)光素子開発部 Mitsubishi electric corp. Optoelectronics device development dept. |
| 発表年月日 | 2004/8/20 |
| 資料番号 | EMD2004-46,CPM2004-72,OPE2004-129,LQE2004-44 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 270 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |