| 講演名 | 2004/6/25 活性層分離型DFBと量子細線DBRを有する分布反射型レーザの低電流・高効率動作(<特集>量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般) 大平 和哉, 村山 智則, 広瀬 誠人, 八木 英樹, 田村 茂雄, ハク アニスル, 荒井 滋久, |
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| 抄録(和) | 我々はこれまでに活性層を直接加工した活性層分離型DFBレーザを作製し、低しきい値電流動作、安定単一モード動作および初期信頼性に優れていることを実証している。さらに、低しきい値電流動作を維持したまま高効率を実現するために、活性層分離構造を有する活性領域と量子細線構造からなる低損失な受動領域を集積した分布反射型レーザを作製してきた。今回は受動領域の反射率ピークを発振波長に一致させることにより、活性領域長300μm、ストライプ幅4.4μmの素子において、発振しきい値2.5mA、前端面からの外部微分量子効率36%の低しきい値かつ高効率動作を達成した。また、しきい値の2倍の電流値において副モード抑圧比54dBの良好な安定した単一モード動作を実現した。 |
| 抄録(英) | We have demonstrated low-threshold and a high efficiency DR laser with wirelike active and quantum-wire passive sections by utilizing an energy blue shift due to lateral quantum confinement effect. This type of laser is expected to operate with high efficiency operation maintaining a low-threshold current. In this report, we have designed the grating structure so as to match the DBR reflection peak to the lasing wavelength. As a result, we have achieved a low-threshold current of 2.5 mA and the differential quantum efficiency as high as 36 % from the front facet for the active length of 300 μm and the stripe width of 4.4 μm. Moreover, a good single-mode property with sub-mode suppression ratio (SMSR) of 54 dB at a bias current of twice the threshold was also obtained. |
| キーワード(和) | 長波長帯レーザ / 分布反射型レーザ / GaInAsP/InP / DBR / 量子細線構造 |
| キーワード(英) | long-wavelength laser / Distributed Reflector Laser / GaInAsP/InP / DBR / Quantum wire structure |
| 資料番号 | LQE2004-17 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2004/6/25(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 活性層分離型DFBと量子細線DBRを有する分布反射型レーザの低電流・高効率動作(<特集>量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low-threshold and high efficiency operation of distributed reflector (DR) laser with wirelike active DFB and quantum-wire passive sections |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 長波長帯レーザ / long-wavelength laser |
| キーワード(2)（和/英） | 分布反射型レーザ / Distributed Reflector Laser |
| キーワード(3)（和/英） | GaInAsP/InP / GaInAsP/InP |
| キーワード(4)（和/英） | DBR / DBR |
| キーワード(5)（和/英） | 量子細線構造 / Quantum wire structure |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大平 和哉 / Kazuya OHIRA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 村山 智則 / Tomonori MURAYAMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 広瀬 誠人 / Masato HIROSE |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 八木 英樹 / Hideki YAGI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:JST,CREST Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology:JST,CREST |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 田村 茂雄 / Shigeo TAMURA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | ハク アニスル / Anisul HAQUE |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:JST,CREST Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology:JST,CREST |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 荒井 滋久 / Shigehisa ARAI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:JST,CREST Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology:JST,CREST |
| 発表年月日 | 2004/6/25 |
| 資料番号 | LQE2004-17 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 162 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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