| 講演名 | 2003/12/12 10GbE向け長波長InGaAlAs系MQWレーザ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般) 青木 雅博, 土屋 朋信, 佐藤 宏, 中原 宏治, |
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| 抄録(和) | InGaAlAs材料系の長波長多重量子井戸レーザは理想的なバンド構造を有するため、従来のInGaAsP材料系の同一波長帯レーザに対し抜本的な特性改善が図られてきた。特に、高温での超高速動作が可能であるため、無温調条件での毎秒10ギガビットでの直接変調か可能となってきている。このため、小型・省電力性が不可欠となる10Gbps用標準トランスポンダパッケージに搭載する心臓光部品として重要である。本報告では、InGaAlAs系レーザの位置づけおよび研究開発の進展について詳述する。 |
| 抄録(英) | Current status and key issues of InGaAlAs-based laser diodes are presented. Un-cooled 10Gbps direct modulation has been achieved owing to their realistic material band structure. The device will be a key component in a cost-effective 10GbE transponder modules. |
| キーワード(和) | InGaAlAs / 半導体レーザ / 10GbE |
| キーワード(英) | InGaAlAs / laser diode / 10GbE |
| 資料番号 | OPE2003-207,LQE2003-144 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2003/12/12(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 10GbE向け長波長InGaAlAs系MQWレーザ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Long-wavelength InGaAlAs/InP MQW lasers for cost-effective 10-Gbit/s applications |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaAlAs / InGaAlAs |
| キーワード(2)（和/英） | 半導体レーザ / laser diode |
| キーワード(3)（和/英） | 10GbE / 10GbE |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 青木 雅博 / M. Aoki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 株式会社日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 土屋 朋信 / T. Tsuchiya |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 株式会社日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 佐藤 宏 / H. Sato |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 株式会社日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 中原 宏治 / K. Nakahara |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 株式会社日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 発表年月日 | 2003/12/12 |
| 資料番号 | OPE2003-207,LQE2003-144 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 527 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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