| 講演名 | 2003/12/12 OMVPE成長1.3μm帯GaInNAs-LDおよびSOA(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般) 勝山 造, 山田 隆史, 橋本 順一, 村田 道夫, 小山 健二, 伊東 雅史, 猪口 康博, 高岸 茂典, 石田 晶, |
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| 抄録(和) | 全有機OMVPE法によりGaInNAs量子井戸レーザ,および半導体光アンプを試作した。BH構造を採用することによって、効果的な電流閉じ込めが実現でき、室温での閾値電流(Ith)は共振器長300μmデバイスで3.7mAとGaInNAsレーザとしてはこれまで報告された最小の値を得た。また温度特性では、少なくとも100℃まで顕著なスロープ効率の低下も見られず、特性温度(To)は80KとIth、To共に一般的なInP系レーザを凌ぐ特性が得られた。一方、進行波型SOAは、GaInNAsとして初めての動作を確認し、ピーク利得14dB、3-dB帯域49nm、ON/OFF比30dBが得られた。また従来のInP系SOAに比して、利得の温度依存性が大幅に改善されることが分かった。 |
| 抄録(英) | GaInNAs quantum well lasers and optical amplifiers have been grown by low pressure OMVPE using all organometallic sources. A successful low threshold operation has been achieved by using buried heterostructure which provides good current confinement to the active region. Threshold current (Ith) of a 300μm device at 25℃ was 3.7mA which is the lowest value ever reported for GaInNAs edge emitting lasers. Devices operated at least up to 100℃ without large decrease of slope efficiency. The characteristics temperature (To) was 80K and both Ith and To of GaInNAs-LD were superior to those of conventional InP devices. In SOA, peak chip gain, 3-dB band and on/off ratio were 14dB, 49nm and 30dB, respectively. Furthermore, the temperature dependence on chip gain of GaInNAs SOA was found to be much better than that of a conventional InP-based SOA. |
| キーワード(和) | GaInNAs / 有機金属気相成長 / 量子井戸レーザ / 半導体光増幅器 |
| キーワード(英) | GaInNAs / OMVPE / Quantum Well Lasers / Semiconductor Optical Amplifiers |
| 資料番号 | OPE2003-206,LQE2003-143 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2003/12/12(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | OMVPE成長1.3μm帯GaInNAs-LDおよびSOA(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | OMVPE Grown GaInNAs lasers and SOAs operating at 1.3μm |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaInNAs / GaInNAs |
| キーワード(2)（和/英） | 有機金属気相成長 / OMVPE |
| キーワード(3)（和/英） | 量子井戸レーザ / Quantum Well Lasers |
| キーワード(4)（和/英） | 半導体光増幅器 / Semiconductor Optical Amplifiers |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 勝山 造 / Tsukuru KATSUYAMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所 Transmission Device R&D Laboratories Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山田 隆史 / Takashi YAMADA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所 Transmission Device R&D Laboratories Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 橋本 順一 / Jun-ichi HASHIMOTO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所 Transmission Device R&D Laboratories Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 村田 道夫 / Michio MURATA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所 Transmission Device R&D Laboratories Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 小山 健二 / Kenji KOYAMA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所 Transmission Device R&D Laboratories Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 伊東 雅史 / Masashi ITO |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所 Transmission Device R&D Laboratories Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 猪口 康博 / Yasuhiro IGUCHI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所 Transmission Device R&D Laboratories Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 高岸 茂典 / Shigenori TAKAGISHI |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所 Transmission Device R&D Laboratories Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 石田 晶 / Akira ISHIDA |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社究開発部門 Corporate R&D, Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
| 発表年月日 | 2003/12/12 |
| 資料番号 | OPE2003-206,LQE2003-143 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 527 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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