| 講演名 | 2003/12/12 GaInNAsレーザ : GaInNAsレーザの現状と課題(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般) 近藤 正彦, 中原 宏治, 藤崎 寿美子, 田中 滋久, 工藤 真, 谷口 隆文, 寺野 昭久, 内山 博幸, |
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| 抄録(和) | GaInNAsは、1995年に著者らが提案・作製した新光半導体材料である。新材料が実用化されるには、材料の作製技術の成熟に加え、魅力的な応用先つまり市場が必要である。我々は、Si上の光素子、高温特長波長レーザ,長波長面発光レーザ,超高速レーザへの応用を提案してきた。本論文では、GaInNAsレーザの現状と課題について述べるらGaInNAsレーザの現在の最大の課題は結晶中に多量に存在する非発光センタの存在である。これが材料固有の性質なのか、単なる作製技術の問題なのかが分かれ目になる。結晶成長時に不純物が混入し、それを何らかの手法で低減できるなら道は明るい。 |
| 抄録(英) | GaInNAs is a novel optoelectronic material proposed and created in 1995 by the authors. Attractive applications and fabrication maturation are necessary for a new material of GaInNAs to grow into a practical material. In this paper, current status and issues of GaInNAs lasers are presented. The most hard obstacle looks purging non-radiative recombination centers. A key may be how decrease the impurities in the crystal growth environment. |
| キーワード(和) | GaInNAs / 非発光センタ / 不純物 |
| キーワード(英) | GaInNAs / non-radiative recombination center / impurity |
| 資料番号 | OPE2003-205,LQE2003-142 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2003/12/12(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | GaInNAsレーザ : GaInNAsレーザの現状と課題(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | GaInNAs lasers : Current status and issues of GaInNAs lasers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaInNAs / GaInNAs |
| キーワード(2)（和/英） | 非発光センタ / non-radiative recombination center |
| キーワード(3)（和/英） | 不純物 / impurity |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 近藤 正彦 / M. KONDOW |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 株式会社日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中原 宏治 / K. NAKAHARA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 株式会社日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 藤崎 寿美子 / S. FUJISAKI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 株式会社日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 田中 滋久 / S. TANAKA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 株式会社日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 工藤 真 / M. KUDO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 株式会社日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 谷口 隆文 / T. TANIGUCHI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 株式会社日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 寺野 昭久 / A. TERANO |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 株式会社日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 内山 博幸 / H. UCHIYAMA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 株式会社日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 発表年月日 | 2003/12/12 |
| 資料番号 | OPE2003-205,LQE2003-142 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 527 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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