講演名 | 2003/12/12 InP基板上II-VI族材料による黄緑色半導体レーザの作製(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般) 岸野 克巳, 野村 一郎, |
---|---|
PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
抄録(和) | InP基板に格子整合するMgZnCdSe、BeZnTeII-VI族材料及びこれらを組み合わせた超格子材料を開拓し、広い可視光域で発光する半導体レーザ(LD)及び発光ダイオード(LED)に応用した。ZnCdSe/BeZnTe超格子を活性層、MgSe/BeZnTe超格子をpクラッド層、MgSe/ZnCdSe超格子をnクラッド層としたLEDを作製し、ピーク波長554nm(黄緑色)から644nm(赤色)の発光を得た。また、3500時間以上の長寿命動作を達成し、この素子の高い信頼性を示した。さらに活性層にZnCdSeを用いたLDを作製し、77Kにおいて中心波長560nmの黄緑色レーザ発振に初めて成功した。 |
抄録(英) | Novel II-VI compound materials such as MgZnCdSe, BeZnTe, and their related superlattices (SLs) grown on InP substrates were proposed for wide-range visible optical devices such as laser diodes (LDs) and light emitting diodes (LEDs).Visible LEDs consisting of ZnCdSe/BeZnTe SL active, MgSe/BeZnTe SL p-cladding, and MgSe/ZnCdSe SL n-cladding layers were fabricated to obtain wide-range visible electro luminescence (EL) emissions from 554 (yellow-green) to 644 nm (red). For yellow (575nm) LEDs, a long lifetime more than 3500 hours was demonstrated to show high reliability of the LEDs. LDs with ZnCdSe active layers were fabricated. Yellow-green lasing operations around 560 nm were successfully achieved under pulsed current injection at 77 K, for the first time. |
キーワード(和) | II-VI族半導体 / InP基板 / 可視光 / 半導体レーザ / 発光ダイオード / 黄緑色 |
キーワード(英) | II-VI compound / InP substrate / visible / semiconductor laser / light emitting diode / yellow-green |
資料番号 | OPE2003-203,LQE2003-140 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | LQE |
---|---|
開催期間 | 2003/12/12(から1日開催) |
開催地(和) | |
開催地(英) | |
テーマ(和) | |
テーマ(英) | |
委員長氏名(和) | |
委員長氏名(英) | |
副委員長氏名(和) | |
副委員長氏名(英) | |
幹事氏名(和) | |
幹事氏名(英) | |
幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
---|---|
本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | InP基板上II-VI族材料による黄緑色半導体レーザの作製(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Yellow-green semicondcutor lasers fabricated by II-VI compounds on InP substrates |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | II-VI族半導体 / II-VI compound |
キーワード(2)(和/英) | InP基板 / InP substrate |
キーワード(3)(和/英) | 可視光 / visible |
キーワード(4)(和/英) | 半導体レーザ / semiconductor laser |
キーワード(5)(和/英) | 発光ダイオード / light emitting diode |
キーワード(6)(和/英) | 黄緑色 / yellow-green |
第 1 著者 氏名(和/英) | 岸野 克巳 / Katsumi KISHINO |
第 1 著者 所属(和/英) | 上智大学理工学部 Faculty of Science and Technology, Sophia University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 野村 一郎 / Ichirou NOMURA |
第 2 著者 所属(和/英) | 上智大学理工学部 Faculty of Science and Technology, Sophia University |
発表年月日 | 2003/12/12 |
資料番号 | OPE2003-203,LQE2003-140 |
巻番号(vol) | vol.103 |
号番号(no) | 527 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 4 |
発行日 |