講演名 | 2003/12/12 AlInGaN半導体レーザの発振波長の広帯域化(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般) 長浜 慎一, 小崎 徳也, 柳本 友弥, 向井 孝志, |
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抄録(和) | われわれは、発振波長の広帯域化を目的に、GaN系材料を用いて紫外および青色LDを作製し、その特性を評価した。その結果、レーザの特性はその発振波長に強く依存することが分かった。高圧水銀灯のi線である365nmから青緑色の480nmまで発振波長を拡大することができた。 |
抄録(英) | We fabricated the ultraviolet and blue laser diodes (LDs) in order to broaden the emission wavelength by using GaN-based semiconductor, and evaluated these characteristics. As the results, it was obvious that there is a strong relationship between the LDs characteristics and the lasing wavelength of the LDs. We were able to broaden the emission wavelength of the LDs ranging from 365nm to 480nm. |
キーワード(和) | AlInGaN / 紫外LD / 青色LD |
キーワード(英) | AlInGaN / ultraviolet LD / blue LD |
資料番号 | OPE2003-201,LQE2003-138 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | LQE |
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開催期間 | 2003/12/12(から1日開催) |
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講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | AlInGaN半導体レーザの発振波長の広帯域化(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Wavelength coverage expansion in AlInGaN laser diodes |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | AlInGaN / AlInGaN |
キーワード(2)(和/英) | 紫外LD / ultraviolet LD |
キーワード(3)(和/英) | 青色LD / blue LD |
第 1 著者 氏名(和/英) | 長浜 慎一 / Shin-ichi NAGAHAMA |
第 1 著者 所属(和/英) | 日亜化学工業(株)第2部門技術本部LD第1技術部 LD Engineering Depertment, NICHIA Corporation |
第 2 著者 氏名(和/英) | 小崎 徳也 / Tokuya KOZAKI |
第 2 著者 所属(和/英) | 日亜化学工業(株)第2部門技術本部LD第1技術部 LD Engineering Depertment, NICHIA Corporation |
第 3 著者 氏名(和/英) | 柳本 友弥 / Tomoya YANAMOTO |
第 3 著者 所属(和/英) | 日亜化学工業(株)第2部門技術本部LD第1技術部 LD Engineering Depertment, NICHIA Corporation |
第 4 著者 氏名(和/英) | 向井 孝志 / Takashi MUKAI |
第 4 著者 所属(和/英) | 日亜化学工業(株)第2部門技術本部LD第1技術部:日亜化学工業(株)開発本部窒化物半導体研究所 LD Engineering Depertment, NICHIA Corporation:Nitride Semiconductor Research Laboratory, NICHIA Corporation |
発表年月日 | 2003/12/12 |
資料番号 | OPE2003-201,LQE2003-138 |
巻番号(vol) | vol.103 |
号番号(no) | 527 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 4 |
発行日 |