講演名 2003/12/12
AlInGaN半導体レーザの発振波長の広帯域化(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
長浜 慎一, 小崎 徳也, 柳本 友弥, 向井 孝志,
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抄録(和) われわれは、発振波長の広帯域化を目的に、GaN系材料を用いて紫外および青色LDを作製し、その特性を評価した。その結果、レーザの特性はその発振波長に強く依存することが分かった。高圧水銀灯のi線である365nmから青緑色の480nmまで発振波長を拡大することができた。
抄録(英) We fabricated the ultraviolet and blue laser diodes (LDs) in order to broaden the emission wavelength by using GaN-based semiconductor, and evaluated these characteristics. As the results, it was obvious that there is a strong relationship between the LDs characteristics and the lasing wavelength of the LDs. We were able to broaden the emission wavelength of the LDs ranging from 365nm to 480nm.
キーワード(和) AlInGaN / 紫外LD / 青色LD
キーワード(英) AlInGaN / ultraviolet LD / blue LD
資料番号 OPE2003-201,LQE2003-138
発行日

研究会情報
研究会 LQE
開催期間 2003/12/12(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Lasers and Quantum Electronics (LQE)
本文の言語 JPN
タイトル(和) AlInGaN半導体レーザの発振波長の広帯域化(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Wavelength coverage expansion in AlInGaN laser diodes
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) AlInGaN / AlInGaN
キーワード(2)(和/英) 紫外LD / ultraviolet LD
キーワード(3)(和/英) 青色LD / blue LD
第 1 著者 氏名(和/英) 長浜 慎一 / Shin-ichi NAGAHAMA
第 1 著者 所属(和/英) 日亜化学工業(株)第2部門技術本部LD第1技術部
LD Engineering Depertment, NICHIA Corporation
第 2 著者 氏名(和/英) 小崎 徳也 / Tokuya KOZAKI
第 2 著者 所属(和/英) 日亜化学工業(株)第2部門技術本部LD第1技術部
LD Engineering Depertment, NICHIA Corporation
第 3 著者 氏名(和/英) 柳本 友弥 / Tomoya YANAMOTO
第 3 著者 所属(和/英) 日亜化学工業(株)第2部門技術本部LD第1技術部
LD Engineering Depertment, NICHIA Corporation
第 4 著者 氏名(和/英) 向井 孝志 / Takashi MUKAI
第 4 著者 所属(和/英) 日亜化学工業(株)第2部門技術本部LD第1技術部:日亜化学工業(株)開発本部窒化物半導体研究所
LD Engineering Depertment, NICHIA Corporation:Nitride Semiconductor Research Laboratory, NICHIA Corporation
発表年月日 2003/12/12
資料番号 OPE2003-201,LQE2003-138
巻番号(vol) vol.103
号番号(no) 527
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日