| 講演名 | 2003/12/12 高温-高出力青紫色半導体レーザ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般) 水野 崇, 竹谷 元伸, 池田 真朗, 藤本 強, 大藤 良夫, 橋津 敏宏, 池田 昌夫, |
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| 抄録(和) | GaN系青紫色半導体レーザにおいて、 100mWを超える高出力化の検討を行なった。リッジストライブ構造,活性層周辺の縦構造の適正化を行なうことで、高いキンクレベルと高いCODレベルの両立に成功した。その結果,環境温度80℃においても光出力がキンクフリーで200mWまで得られ,環境温度60℃,光出力130mW,パルス駆動の条件下で500時間を超える連続動作が可能なレーザ素子を作製した。また、光出力30mW、CW駆動の条件下で、GaN系青紫色半導体レーザにおける寿命の温度依存性を測定し活性化エネルギーを見積もった結果、3.2eVという値が得られた。 |
| 抄録(英) | We have successfully fabricated GaN-based blue-violet laser diodes operated with a output power more than 100mW. We adopted a new ridge structure and appropriately designed the layer structure to obtain high COD levels and high kink levels simultaneously. The new ridge structure has a narrow ridge width of 1.4μm covered with a stacked layer of Si on SiO_2. The beam divergence angle perpendicular to the junction plane is adjusted to be 21degrees. Under 130mW pulsed operation at 60℃, these lasers have been operating stably for more than 500 h. Result from temperature dependence of device lifetime under 30mW continuous-wave operation, the activation energy of 0.32eV have been obtained. |
| キーワード(和) | レーザダイオード / GaN / GaInN / COD / 活性化エネルギー |
| キーワード(英) | Laser Diodes / GaN / GaInN / Catastrophic Optical Damage / Activation energy |
| 資料番号 | OPE2003-200,LQE2003-137 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2003/12/12(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高温-高出力青紫色半導体レーザ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High power and high temperature operation of blue-ultraviolet semiconductor lasers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | レーザダイオード / Laser Diodes |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | GaInN / GaInN |
| キーワード(4)（和/英） | COD / Catastrophic Optical Damage |
| キーワード(5)（和/英） | 活性化エネルギー / Activation energy |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 水野 崇 / Takashi Mizuno |
| 第 1 著者 所属（和/英） | ソニー白石セミコンダクタ株式会社開発センター Development center Sony Shiroishi Semiconductor Inc. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 竹谷 元伸 / Motonobu Takeya |
| 第 2 著者 所属（和/英） | ソニー白石セミコンダクタ株式会社開発センター Development center Sony Shiroishi Semiconductor Inc. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 池田 真朗 / Shinro Ikeda |
| 第 3 著者 所属（和/英） | ソニー白石セミコンダクタ株式会社開発センター Development center Sony Shiroishi Semiconductor Inc. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 藤本 強 / Tsuyoshi Fujimoto |
| 第 4 著者 所属（和/英） | ソニー白石セミコンダクタ株式会社開発センター Development center Sony Shiroishi Semiconductor Inc. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 大藤 良夫 / Yoshio Ohfuji |
| 第 5 著者 所属（和/英） | ソニー白石セミコンダクタ株式会社開発センター Development center Sony Shiroishi Semiconductor Inc. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 橋津 敏宏 / Toshihiro Hashizu |
| 第 6 著者 所属（和/英） | ソニー白石セミコンダクタ株式会社開発センター Development center Sony Shiroishi Semiconductor Inc. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 池田 昌夫 / Masao Ikeda |
| 第 7 著者 所属（和/英） | ソニー白石セミコンダクタ株式会社開発センター Development center Sony Shiroishi Semiconductor Inc. |
| 発表年月日 | 2003/12/12 |
| 資料番号 | OPE2003-200,LQE2003-137 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 527 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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