| 講演名 | 2003/12/12 グレーティング素子集積半導体レーザ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般) 栖原 敏明, 上向井 正裕, |
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| 抄録(和) | グレーティング素子を集積したインプレーン型半導体レーザに関する著者らのグループの研究を概観し、最近の結果を報告する。グレーティング素子を用いることにより、レーザ発振のための波長選択フィードバックだけでなく、出力ビーム整形や波長可変化などの機能を実現できる。半導体量子井戸導波路構造に形成したリッジ構造の活性領域と表面グレーティングをデバイス基本構造とし、受動導波路部分は無不純物空孔拡散および不純物誘起空孔拡散による量子井戸の選択的無秩序化で低損失化を行っている。InGaAs/AlGaAs GRIN-SCH-SQW構造を用いた分布ブラッグ反射型(DBR)発振器・パワー増幅器(MOPA)集積レーザ、外部共振型波長可変レ-ザ、傾斜グレーティング広面積DBRレーザ、高効率低雑音DBRレーザについて、デバイス構造、設計・作製と実験結果を報告する。いくつかのデバイスは出力ビーム整形機能をもつグレーティング結合器を集積化したもので、レンズレスで平行ビームを出力する小型安定なモジュールとすることができる。赤色光を発振するGaInP/AlGaInP量子井戸DBRレーザの予備的実験結果についても報告する。 |
| 抄録(英) | The work of the authors' group on monolithic integrated in-plane semiconductor lasers using grating components are reviewed and the recent development is reported. The grating components provide not only wavelength-selective feedback for lasing but also novel functions such as output beam shaping and wavelength tuning. Combinations of ridge structures and surface gratings in semiconductor quantum well waveguides are used as the fundamental device structures, and the area-selective quantum-well disordering by impurity-free and impurity induced vacancy diffusion is employed as an effective technique to reduce the absorption loss in the passive waveguide. Device description, design, fabrication and experimental results of integrated master oscillator power amplifier (MOPA) lasers, high-power tunable extended-cavity lasers, a broad-area angled-grating distributed Bragg reflector (DBR) lasers and a high-efficiency low-noise DBR laser using InGaAs/AlGaAs GRIN-SCH-SQW structures are presented. Some of the lasers have an integrated beam forming grating coupler, and allow implementation of compact and stable lensless modules that emit a collimated output beam. Recent preliminary experimental results on a GaInP/AlGaInP QW DBR laser emitting red light are also presented. |
| キーワード(和) | 半導体レーザ / 量子井戸 / グレーティング結合器 / 光集積回路 / 量子井戸無秩序化 |
| キーワード(英) | semiconductor lasers / quantum well / grating couplers / integrated optics / quantum-well disordering |
| 資料番号 | OPE2003-196,LQE2003-133 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2003/12/12(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | グレーティング素子集積半導体レーザ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Semiconductor Lasers with Integrated Grating Elements |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 半導体レーザ / semiconductor lasers |
| キーワード(2)（和/英） | 量子井戸 / quantum well |
| キーワード(3)（和/英） | グレーティング結合器 / grating couplers |
| キーワード(4)（和/英） | 光集積回路 / integrated optics |
| キーワード(5)（和/英） | 量子井戸無秩序化 / quantum-well disordering |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 栖原 敏明 / Toshiaki SUHARA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronics, Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 上向井 正裕 / Masahiro UEMUKAI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronics, Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 発表年月日 | 2003/12/12 |
| 資料番号 | OPE2003-196,LQE2003-133 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 527 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |