講演名 2003/12/12
面発光半導体レーザの偏光双安定スイッチング(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
河口 仁司,
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抄録(和) 光導波路が正方形の断面形状をもつ面発光半導体レーザ(VCSEL)には,電界方向が正方形の辺にそう2つの固有モードが存在する。この2つのモードは利得飽和を通して強結合し双安定性が生じる。測定の結果,偏光のスイッチング速度は約7ピコ秒であり,高速にスイッチングできることがわかった。本報告では, VCSELの発振偏光の双安定性について実験結果を中心に述べるとともに,光双安定特性のもつメモリ機能とANDゲート機能により実現できるフリップ・フロツプ・多重分離(DEMUX),RZ/NRZフォーマット変換,3R再生などの全光型信号処理について述べる。また,全光型光パケットメモリの実現可能性についても述べる。
抄録(英) This paper presents a study of the polarization Instability in vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs). The main origin of the polarization testability is considered to be the gain saturation. We experimentally demonstrated very fast polarization bistable switching with a 7 ps switching time. Applications of polarization bistable VCSELs for ultra fast optical signal processing are also described. They include demultiplexing (DEMUX) with a signal bit width conversion function and format conversions between NRZ and RZ signals. The possibilities of all-optical 3R regeneration for ultra fast optical communication and optical buffering for photonic packet switching are also discussed.
キーワード(和) VCSEL / 光双安定 / 全光型信号処理 / 3R再生 / 光バッファメモリ
キーワード(英) VCSEL / Optical Bistability / All-Optical Signal Processing / 3R-Regeneration / Optical Buffer Memory
資料番号 OPE2003-195,LQE2003-132
発行日

研究会情報
研究会 LQE
開催期間 2003/12/12(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Lasers and Quantum Electronics (LQE)
本文の言語 ENG
タイトル(和) 面発光半導体レーザの偏光双安定スイッチング(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Polarization Bistable Switching in VCSELs
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) VCSEL / VCSEL
キーワード(2)(和/英) 光双安定 / Optical Bistability
キーワード(3)(和/英) 全光型信号処理 / All-Optical Signal Processing
キーワード(4)(和/英) 3R再生 / 3R-Regeneration
キーワード(5)(和/英) 光バッファメモリ / Optical Buffer Memory
第 1 著者 氏名(和/英) 河口 仁司 / Hitoshi KAWAGUCHI
第 1 著者 所属(和/英) 山形大学工学部:独立行政法人科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業
Faculty of Engineering, Yamagata University:Core Research for Evolutional Science and Technology (CREST), Japan Science and Technology Agency (JST)
発表年月日 2003/12/12
資料番号 OPE2003-195,LQE2003-132
巻番号(vol) vol.103
号番号(no) 527
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日