| 講演名 | 2003/9/26 AlGaN/GaN HEMTの電流DLTS(窒化物及び混晶半導体デバイス) 沖野 徹, 落合 大, 大野 雄高, 岸本 茂, 前澤 宏一, 水谷 孝, |
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| 抄録(和) | 電流DLTSによりAlGaN/GaN HEMTの過渡応答の振舞いを評価した。電子トラップと二つのホールトラップ的信号を観測した。電子トラップの活性化エネルギーは0.61eVで容量DLTSにより測定されたn-GaNの欠陥準位と近い値であった。ホールトラップ的信号はホールトラップによるものではなく、HEMTのゲート・ソース、ゲート・ドレイン間領域での表面準位へのゲートからの電子注入と捕獲・放出に対応する。 |
| 抄録(英) | The transient behaviour of AlGaN/GaN HEMTs Was studied by current DLTS. One electron trap and two hole-trap-like signals were observed. The electron trap had an activation energy of 0.61 eV, which was similar to the defect level in n-GaN obtained by capacitance DLTS. It has been pointed out that the hole-trap-like signals did not originate from changes in hole trap population in the channel, but probably reflected the changes in the electron population in the surface states of the HEMT access regions. |
| キーワード(和) | AlGaN/GaN HEMT / 電流DLTS / 電子トラップ / ホールトラップ的信号 |
| キーワード(英) | AlGaN/GaN HEMT / Current DLTS / The electron trap / Hole-trap-like signals |
| 資料番号 | LQE2003-79 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2003/9/26(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | AlGaN/GaN HEMTの電流DLTS(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Drain Current DLTS of AlGaN/GaN HEMTs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN/GaN HEMT / AlGaN/GaN HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | 電流DLTS / Current DLTS |
| キーワード(3)（和/英） | 電子トラップ / The electron trap |
| キーワード(4)（和/英） | ホールトラップ的信号 / Hole-trap-like signals |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 沖野 徹 / T. Okino |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科量子工学専攻 Department of Quantum Engineering, Nagoya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 落合 大 / M. Ochiai |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科量子工学専攻 Department of Quantum Engineering, Nagoya University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大野 雄高 / Y. Ohno |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科量子工学専攻 Department of Quantum Engineering, Nagoya University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 岸本 茂 / S. Kishimoto |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科量子工学専攻 Department of Quantum Engineering, Nagoya University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 前澤 宏一 / K. Maezawa |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科量子工学専攻 Department of Quantum Engineering, Nagoya University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 水谷 孝 / T. Mizutani |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科量子工学専攻 Department of Quantum Engineering, Nagoya University |
| 発表年月日 | 2003/9/26 |
| 資料番号 | LQE2003-79 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 346 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |