| 講演名 | 2002/5/10 細線構造を有する分布反射型(DR)レーザ(<小特集テーマ>量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎から応用,その他一般) 大平 和哉, 布谷 伸浩, 尾野村 章弘, 八木 英樹, 田村 茂雄, 荒井 滋久, |
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| 抄録(和) | 我々はこれまでに活性層を直接加工した活性層分離型DFBレーザを作製し、しきい値電流0.7mA,片端面当たりの微分量子効率23%を得ている。今回は更なる特性向上のため、この活性層分離型DFBレーザの作製技術を応用して新しい分布反射型レーザを提案する。活性領域と受動DBR領域を持ち、片側に出力を寄せることで効率の増加をねらった。受動DBR領域は狭細線構造を導入することで導波路損失を低減させ、かつ高い反射率を得るために細線を多数列設けた構造とした。この構造で理論解析を行い、DRレーザ特有の特性、すなわち従来のDFB構造に比べてしきい値電流を1/2程度まで低減して片端面当たりの効率を増加させることが可能であることを明らかにした。 |
| 抄録(英) | Distributed feedback lasers with deeply etched wirelike active regions exhibiting low threshold current of 0.7mA and differential quantum efficiency of 23%/facet were realized. For better performance, we propose new distributed reflector (DR) laser by applying the similar fabrication technology. This laser has active region and passive DBR region for asymmetric output property. The passive DBR region consists of narrow wire structure utilizing energy blue shift due to a lateral quantum confinement effect for low-loss waveguide and several sets of wires are introduced into the grating for higher index-coupling coefficient. As a result, we show that the threshold current I_th will be half of that of conventional structure, and differential quantum efficiency η_d from one side will be higher than that of conventional structure. |
| キーワード(和) | 長波長帯レーザ / 分布反射型レーザ / GaInAsP/InP / DBR / 量子細線構造 |
| キーワード(英) | long-wavelength laser / Distributed Reflector Laser / GaInAsP/InP / DBR / Quantum wire structure |
| 資料番号 | LQE2002-16 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2002/5/10(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 細線構造を有する分布反射型(DR)レーザ(<小特集テーマ>量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎から応用,その他一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Distributed Reflector (DR) Laser with Wire Structure |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 長波長帯レーザ / long-wavelength laser |
| キーワード(2)（和/英） | 分布反射型レーザ / Distributed Reflector Laser |
| キーワード(3)（和/英） | GaInAsP/InP / GaInAsP/InP |
| キーワード(4)（和/英） | DBR / DBR |
| キーワード(5)（和/英） | 量子細線構造 / Quantum wire structure |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大平 和哉 / Kazuya OHIRA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 布谷 伸浩 / Nobuhiro NUNOYA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 尾野村 章弘 / Akihiro ONOMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 八木 英樹 / Hideki YAGI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 田村 茂雄 / Shigeo TAMURA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 荒井 滋久 / Shigehisa ARAI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2002/5/10 |
| 資料番号 | LQE2002-16 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 62 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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