| 講演名 | 2002/6/8 GaN系半導体レーザ中の結晶欠陥(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般) 冨谷 茂隆, 日野 智公, 宮嶋 孝夫, 竹谷 元伸, 池田 昌夫, |
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| 抄録(和) | 選択横方向成長GaNエピタキシャル膜(ELO-GaN)上に形成したGaN系半導体レーザダイオード(LD)における転位を、透過電子顕微鏡法およびカソードルミネッセンス顕微鏡法によって評価した。ELO-GaNにおけるWing領域中の転位は、種領域におけるGaNエピ/サファイア基板界面近傍の高欠陥領域から横方向に延伸した成分を起源とする。消費電力が同等で、デバイス寿命の短いLDでは、活性領域より下部においてc面内転位が新たに発生しており、この転位がc軸方向に屈曲し、活性領域を貫通していた。この新たに発生した転位はデバイス寿命を低下させる一因となる。 |
| 抄録(英) | We have investigated dislocations in GaN-based laser diodes (LDs) on epitaxial lateral overgrown (ELO) GaN layers using transmission electron microscopy and cathodoluminescnce microscopy and found a correlation between dislocations and device reliability. The origin of dislocations in the wing regions of ELO structures is the extension of defects in highly defective regions near the GaN layer/substrate interface of the seed regions. In some LDs with a short lifetime, dislocations lying in the c-plane were formed below the active regions, bent towards the c-axis and threaded upwards to active regions. These newly created dislocations can cause to be detrimental to the device lifetime. |
| キーワード(和) | GaN系半導体レーザ / 選択方向成長 / 転位 / 透過電子顕微鏡 / カソードルミネッセンス |
| キーワード(英) | GaN-based Laser Diode / ELO / Dislocations / Transmission Electron Microscopy / Cathodoluminescence |
| 資料番号 | LQE2002-89 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2002/6/8(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaN系半導体レーザ中の結晶欠陥(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Structural Defects in GaN-based Semiconductor Laser Diodes |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN系半導体レーザ / GaN-based Laser Diode |
| キーワード(2)（和/英） | 選択方向成長 / ELO |
| キーワード(3)（和/英） | 転位 / Dislocations |
| キーワード(4)（和/英） | 透過電子顕微鏡 / Transmission Electron Microscopy |
| キーワード(5)（和/英） | カソードルミネッセンス / Cathodoluminescence |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 冨谷 茂隆 / Shigetaka Tomiya |
| 第 1 著者 所属（和/英） | ソニー(株)テクニカルソリューションセンター Technical Solutions Center, Sony Corp. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 日野 智公 / Tomonori Hino |
| 第 2 著者 所属（和/英） | ソニー(株)コアテクノロジーネットワークカンパニー Core Technology Network Company, Sony Corp. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 宮嶋 孝夫 / Takao Miyajima |
| 第 3 著者 所属（和/英） | ソニー(株)コアテクノロジーネットワークカンパニー Core Technology Network Company, Sony Corp. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 竹谷 元伸 / Motonobu Takeya |
| 第 4 著者 所属（和/英） | ソニー白石セミコンダクター(株)開発センター Sony Shiroishi Semiconductor, Inc. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 池田 昌夫 / Masao Ikeda |
| 第 5 著者 所属（和/英） | ソニー白石セミコンダクター(株)開発センター Sony Shiroishi Semiconductor, Inc. |
| 発表年月日 | 2002/6/8 |
| 資料番号 | LQE2002-89 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 119 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |