講演名 2002/6/8
プリンタ用青紫色2ビームレーザ(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
藤本 強, 竹谷 元伸, 東條 剛, 大藤 良夫, 松本 治, 矢吹 義文, 谷口 健博, 内田 史朗, 阿河 圭吾, 成井 啓修, 池田 昌夫,
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抄録(和) 今回、我々は、400nm帯域に発振波長を持つレーザでは初めてとなるレーザビームプリンタ(LBP)用独立駆動型2ビームレーザを作製した。各々のレーザストライプの特性は均一で、GaN系材料特有の高い熱伝導性とepi-side down実装の採用により低熱抵抗を実現していること、およびGaN系レーザの特徴である高い特性温度により、ドループ特性は60℃、4mW以上連続発振動作において3%以下を実現し、実用上充分に低いレベルである。さらにクロストーク特性に関しては、ストライプ間を電気的に断絶することにより、60℃、4mW連続発振動作においてほぼ0%に低減することができ、プリンタ用2ビームビームレーザとして実用的な特性を得ることに成功した。
抄録(英) We have fabricated 400nm wavelength 2-beam lasers for the first time. Each laser operated independently. Laser characteristics were almost identical, and low thermal resistance brought about by high thermal conductivity of this material and by epi-side-down mounting, and high characteristic temperature (~150K) of blue-violet lasers resulted in the sufficiently low droop characteristics (<3%@60℃,4mW) for practical use. We have also achieved low cross-talk characteristics (~0%) under 4mW CW operation at 60℃ adopting electrically isolated structure between the two laser stripes. These results indicate the blue-violet 2-beam lasers are available as a light source of laser beam printers.
キーワード(和) レーザビームプリンタ / 2ビームレーザ / ドループ特性 / クロストーク特性
キーワード(英) Laser Beam Printer / 2-beam Laser / Droop Characteristics / Cross-talk Characteristics
資料番号 LQE2002-88
発行日

研究会情報
研究会 LQE
開催期間 2002/6/8(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Lasers and Quantum Electronics (LQE)
本文の言語 JPN
タイトル(和) プリンタ用青紫色2ビームレーザ(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Blue-violet 2-beam Laser for a Printer
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) レーザビームプリンタ / Laser Beam Printer
キーワード(2)(和/英) 2ビームレーザ / 2-beam Laser
キーワード(3)(和/英) ドループ特性 / Droop Characteristics
キーワード(4)(和/英) クロストーク特性 / Cross-talk Characteristics
第 1 著者 氏名(和/英) 藤本 強 / Tsuyoshi Fujimoto
第 1 著者 所属(和/英) ソニー白石セミコンダクタ(株)開発センター
Development Center, Sony Shiroishi Semiconductor Inc.
第 2 著者 氏名(和/英) 竹谷 元伸 / Motonobu Takeya
第 2 著者 所属(和/英) ソニー白石セミコンダクタ(株)開発センター
Development Center, Sony Shiroishi Semiconductor Inc.
第 3 著者 氏名(和/英) 東條 剛 / Tsuyosi Tojyo
第 3 著者 所属(和/英) ソニー白石セミコンダクタ(株)開発センター
Development Center, Sony Shiroishi Semiconductor Inc.
第 4 著者 氏名(和/英) 大藤 良夫 / Yoshio Ohfuji
第 4 著者 所属(和/英) ソニー白石セミコンダクタ(株)開発センター
Development Center, Sony Shiroishi Semiconductor Inc.
第 5 著者 氏名(和/英) 松本 治 / Osamu Matumoto
第 5 著者 所属(和/英) ソニー白石セミコンダクタ(株)開発センター
Development Center, Sony Shiroishi Semiconductor Inc.
第 6 著者 氏名(和/英) 矢吹 義文 / Yoshifumi Yabuki
第 6 著者 所属(和/英) ソニー白石セミコンダクタ(株)開発センター
Development Center, Sony Shiroishi Semiconductor Inc.
第 7 著者 氏名(和/英) 谷口 健博 / Takehiro Taniguchi
第 7 著者 所属(和/英) ソニー(株)厚木テクノロジーセンター 半導体レーザ事業部
Semiconductor Laser Divisions,Sony Corporation Atugi Technology Center
第 8 著者 氏名(和/英) 内田 史朗 / Shiro Uchida
第 8 著者 所属(和/英) ソニー白石セミコンダクタ(株)開発センター
Development Center, Sony Shiroishi Semiconductor Inc.
第 9 著者 氏名(和/英) 阿河 圭吾 / Keigo Aga
第 9 著者 所属(和/英) ソニー(株)厚木テクノロジーセンター 半導体レーザ事業部
Semiconductor Laser Divisions,Sony Corporation Atugi Technology Center
第 10 著者 氏名(和/英) 成井 啓修 / Hironobu Narui
第 10 著者 所属(和/英) ソニー(株)厚木テクノロジーセンター 半導体レーザ事業部
Semiconductor Laser Divisions,Sony Corporation Atugi Technology Center
第 11 著者 氏名(和/英) 池田 昌夫 / Masao Ikeda
第 11 著者 所属(和/英) ソニー白石セミコンダクタ(株)開発センター
Development Center, Sony Shiroishi Semiconductor Inc.
発表年月日 2002/6/8
資料番号 LQE2002-88
巻番号(vol) vol.102
号番号(no) 119
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日