| 講演名 | 2002/6/8 青紫色ハイパワー半導体レーザ(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般) 水野 崇, 竹谷 元伸, 池田 真朗, 藤本 強, 大藤 良夫, 矢吹 義文, 内田 史朗, 池田 昌夫, |
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| 抄録(和) | GaN系半導体レーザにおいて、活性層近傍での内部吸収損失の低減に関する検討を試みた。今回、我々は、GaInN中間層とAlGaN電子障壁層の間にノンドープAlGaN層を導入した新規縦構造を採用することで、Mgドープ層での光吸収を抑制し、従来構造では25cm^-1程度であった内部吸収損失を11cm^-1まで低減することができた。その結果、さらなる低閾値電流化、高温・高出力動作時の低消費電力化に成功し、環境温度80℃、光出力30mWにおいて、動作電流58mA、動作電圧4.36V、消費電力0.25Wという極めて良好な特性を持つレーザ素子を実現した。 |
| 抄録(英) | We realized GaN-based blue-violet laser diodes with a very low internal loss. We introduced a new laser structure in the vicinity of active layer in order to decrease the internal loss arising from optical absorption in the Mg-doped layer. The novel structure favorably reduced internal loss from 25cm^-1 to 11cm^-1. As a result, We succeeded in producing GaN-based blue-violet laser diodes with superior characteristics. Under the condition of 80℃ 30mW-CW, the operating current and voltage were 58mA and 4.36V, respectively. |
| キーワード(和) | レーザダイオード / GaN / GaInN / 内部吸収損失 / 光吸収 / Mgドープ層 |
| キーワード(英) | laser diodes / GaN / GaInN / internal loss / optical absorption / Mg-doped layer |
| 資料番号 | LQE2002-87 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2002/6/8(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 青紫色ハイパワー半導体レーザ(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High power Blue-violet Laser Diodes |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | レーザダイオード / laser diodes |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | GaInN / GaInN |
| キーワード(4)（和/英） | 内部吸収損失 / internal loss |
| キーワード(5)（和/英） | 光吸収 / optical absorption |
| キーワード(6)（和/英） | Mgドープ層 / Mg-doped layer |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 水野 崇 / Takashi Mizuno |
| 第 1 著者 所属（和/英） | ソニー白石セミコンダクタ株式会社 開発センター Development Center, Sony Shiroishi Semiconductor Inc. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 竹谷 元伸 / Motonobu Takeya |
| 第 2 著者 所属（和/英） | ソニー白石セミコンダクタ株式会社 開発センター Development Center, Sony Shiroishi Semiconductor Inc. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 池田 真朗 / Shinro Ikeda |
| 第 3 著者 所属（和/英） | ソニー白石セミコンダクタ株式会社 開発センター Development Center, Sony Shiroishi Semiconductor Inc. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 藤本 強 / Tsuyoshi Fujimoto |
| 第 4 著者 所属（和/英） | ソニー白石セミコンダクタ株式会社 開発センター Development Center, Sony Shiroishi Semiconductor Inc. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 大藤 良夫 / Yoshio Ohfuji |
| 第 5 著者 所属（和/英） | ソニー白石セミコンダクタ株式会社 開発センター Development Center, Sony Shiroishi Semiconductor Inc. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 矢吹 義文 / Yoshifumi Yabuki |
| 第 6 著者 所属（和/英） | ソニー白石セミコンダクタ株式会社 開発センター Development Center, Sony Shiroishi Semiconductor Inc. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 内田 史朗 / Shiro Uchida |
| 第 7 著者 所属（和/英） | ソニー白石セミコンダクタ株式会社 開発センター Development Center, Sony Shiroishi Semiconductor Inc. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 池田 昌夫 / Masao Ikeda |
| 第 8 著者 所属（和/英） | ソニー白石セミコンダクタ株式会社 開発センター Development Center, Sony Shiroishi Semiconductor Inc. |
| 発表年月日 | 2002/6/8 |
| 資料番号 | LQE2002-87 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 119 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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