講演名 2002/6/8
レーザーリフトオフによるGaAs基板上のGaN系青紫色レーザー(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
丸田 秀昭, 園部 雅之, 宮地 護, 渡辺 温, 太田 啓之, 竹間 清文,
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抄録(和) レーザーリフトオフ(LLO)を用いてサファイア基板を剥離することにより、GaAs基板上にGaN系青紫色レーザーを作製した。室温連続発振においてしきい電流値78mA,しきい電圧6.4Vの特性が得られた。劈開性を有するGaAs基板上で劈開を行うことにより、高い歩留まりで高品質の光共振面の形成を行うことができた。GaN側をステムに直接ボンディングすることで従来の素子と比較して放熱特性が向上することをシミュレーションにより示し、LLOを用いたレーザーで21℃/Wという低い熱抵抗を実現した。
抄録(英) GaN-based LDs with GaAs support were fabricated by separating the nitrides from the sapphire substrate using laser lift-off (LLO) technique. The threshold current and the threshold voltage were 78mA and 6.4V, respectively. Excellent mirror facets with high process yields were achieved due to cleavage on the GaAs substrates. The simulations gave the result that the thermal conductivity increases by bonding GaN side to the stem directly. The thermal resistance of 21℃/W was achieved in LDs using LLO technique.
キーワード(和) レーザーリフトオフ / 窒化ガリウム / ガリウム砒素 / レーザー
キーワード(英) Laser Lift-off / GaN / GaAs / Laser
資料番号 LQE2002-85
発行日

研究会情報
研究会 LQE
開催期間 2002/6/8(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Lasers and Quantum Electronics (LQE)
本文の言語 JPN
タイトル(和) レーザーリフトオフによるGaAs基板上のGaN系青紫色レーザー(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) GaN lasers on GaAs substrates using laser lift-off technique
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) レーザーリフトオフ / Laser Lift-off
キーワード(2)(和/英) 窒化ガリウム / GaN
キーワード(3)(和/英) ガリウム砒素 / GaAs
キーワード(4)(和/英) レーザー / Laser
第 1 著者 氏名(和/英) 丸田 秀昭 / Hideaki MARUTA
第 1 著者 所属(和/英) ローム株式会社
ROHM
第 2 著者 氏名(和/英) 園部 雅之 / Masayuki SONOBE
第 2 著者 所属(和/英) ローム株式会社
ROHM
第 3 著者 氏名(和/英) 宮地 護 / Mamoru MIYACHI
第 3 著者 所属(和/英) パイオニア株式会社
PIONEER
第 4 著者 氏名(和/英) 渡辺 温 / Atsushi WATANABE
第 4 著者 所属(和/英) パイオニア株式会社
PIONEER
第 5 著者 氏名(和/英) 太田 啓之 / Hiroyuki OTA
第 5 著者 所属(和/英) パイオニア株式会社
PIONEER
第 6 著者 氏名(和/英) 竹間 清文 / Kiyofumi CHIKUMA
第 6 著者 所属(和/英) パイオニア株式会社
PIONEER
発表年月日 2002/6/8
資料番号 LQE2002-85
巻番号(vol) vol.102
号番号(no) 119
ページ範囲 pp.-
ページ数 3
発行日