| 講演名 | 2002/6/8 光照射MOCVD法によるGaNP LED(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般) 吉田 清輝, 伊東 義曜, 城川 潤二郎, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛, |
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| 抄録(和) | GaNPは大きなバンドギャップボーイングが期待され,Pの組成比を変えることによって紫外から赤色まで幅広く発光が期待される.光照射MOCVD法によりGaNPの結晶成長を行いGaNPのLED構造を作成した.即ち,サファイア基板上にn-GaN/i-GaNP/P-GaNのSQW構造を作成し,LED化した.LEDの注入電流依存性を調べ2.9eV付近の発光のピークシフトと関係を調べた.その結果,電流注入を増やすとともにピークはブルーシフトする傾向が観察された. |
| 抄録(英) | GaNP is a new promising material for a light-emitting diode (LED) over a wider range of wavelengths from ultraviolet to red due to gigantic band gap bowing. GaNP was grown using a laser-assisted MOCVD. Furthermore, we fabricated the GaNP single quantum well structure LED. The electroluminescence measurement of the LED was carried out. When the injection current was increased, the peaks of 2.9 eV and 2.25 eV were shifted towards the high energy side. |
| キーワード(和) | GaN / GaNP / LED / EL / MOCVD |
| キーワード(英) | GaN / GaNP / LED / EL / MOCVD |
| 資料番号 | LQE2002-83 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2002/6/8(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 光照射MOCVD法によるGaNP LED(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | GaNP LED using a laser-assisted MOCVD |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | GaNP / GaNP |
| キーワード(3)（和/英） | LED / LED |
| キーワード(4)（和/英） | EL / EL |
| キーワード(5)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 吉田 清輝 / Seikoh YOSHIDA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 古河電気工業株式会社 横浜研究所 Yokohama R&D Laboratories, The Furukawa Electric Co., Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 伊東 義曜 / Yoshiteru ITOH |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 古河電気工業株式会社 横浜研究所 Yokohama R&D Laboratories, The Furukawa Electric Co., Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 城川 潤二郎 / Junjiroh KIKAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 古河電気工業株式会社 横浜研究所 Yokohama R&D Laboratories, The Furukawa Electric Co., Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 尾鍋 研太郎 / Kentaroh ONABE |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京大学 University of Tokyo |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 白木 靖寛 / Yasuhiro SHIRAKI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京大学 University of Tokyo |
| 発表年月日 | 2002/6/8 |
| 資料番号 | LQE2002-83 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 119 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |