| 講演名 | 2002/6/8 AlN基板を用いた紫外LED(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般) 岡川 広明, 大内 洋一郎, 常川 高志, 只友 一行, |
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| 抄録(和) | サファイア基板上にAlN層を直接成長したAlNテンプレートおよびサファイア基板を用い、紫外LEDを作製した。AlNテンプレート上に作製したLEDウエハーは、(10-12)面反射のX線ロッキングカーブ半値幅は177secと狭く、CL測定で観測されるダークスポットが2.0×10^8cm^-2と、サファイア基板上に作製したものと比べ結晶性の良いウエハーであることがわかった。LEDチップの電流-電圧特性においてリーク電流が低減できている事も結晶性を反映していると考えられる。発光出力は両者とも同等あり、ペアチップ状態で382nm、4mW(at20mA)が得られた。 |
| 抄録(英) | Ultraviolet (UV) light-emitting diodes (LEDs) were fabricated on an AlN-Template and a sapphire substrate. The full-width at half maximum of the X-ray diffraction rocking curve for GaN (10-12) reflection of the LED structure grown on an AlN-Template was 177 arcsec. The dislocation density of the LED structure grown on an AlN-Template determined by a Cathode-luminescence observation was 2.0 × 10^8cm^-2 The quality of the LED structure grown on an AlN-Template was better than that of structure grown on a sapphire substrate. When the these LEDs was operated at a forward-biased current of 20 mA at room temperature, the emission wavelength and the output power were approximately 382 nm, 4mW, respectively. |
| キーワード(和) | AlNテンプレート / 紫外LED |
| キーワード(英) | AlN-Template / UV-LED |
| 資料番号 | LQE2002-82 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2002/6/8(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | AlN基板を用いた紫外LED(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of UV-LED on AlN templates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlNテンプレート / AlN-Template |
| キーワード(2)（和/英） | 紫外LED / UV-LED |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 岡川 広明 / Hiroaki Okagawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電線工業株式会社 情報通信フォトニクス研究所 Telecommunication & Photonics Research Lab. Mitsubishi Cable Industries, LTD. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 大内 洋一郎 / Youichirou Ohuchi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電線工業株式会社 情報通信フォトニクス研究所 Telecommunication & Photonics Research Lab. Mitsubishi Cable Industries, LTD. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 常川 高志 / Takashi Tsunekawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電線工業株式会社 情報通信フォトニクス研究所 Telecommunication & Photonics Research Lab. Mitsubishi Cable Industries, LTD. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 只友 一行 / Kazuyuki Tadatomo |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電線工業株式会社 情報通信フォトニクス研究所 Telecommunication & Photonics Research Lab. Mitsubishi Cable Industries, LTD. |
| 発表年月日 | 2002/6/8 |
| 資料番号 | LQE2002-82 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 119 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |