| 講演名 | 2002/6/8 AlGaN混晶の高品質化と紫光デバイスへの応用(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般) 岩谷 素顕, 高浪 俊, 宮崎 敦嗣, 佐野 智昭, 上山 智, 天野 浩, 赤崎 勇, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | AlGaN混晶は紫外光デバイス実現のために必須の材料である。本論文ではクラックフリーで低転位AlGaN厚膜を面全体で実現するための手法について報告する。さらに、低転位密度化したAlGaN上に紫外LEDを試作した結果、発光中心波長363nm、半値幅4.8nmの単一な発光が得られ、発光出力は100m(DC)動作で2.6mWという高効率紫外LEDが実現できたので報告する。 |
| 抄録(英) | We reported the new growth technique for realization of low threading dislocation density and crack-free Al_xGa_1-xN films in the whole area. UV-LED on the newly developed AlGaN layer showed high output power., having peak wavelength of 363 nm, a full width at half maximum as narrow as 4.8 nm and output power of 2.6 mW at 100 mA DC current injection. |
| キーワード(和) | AlGaN / 低温AlN中間層 / 転位 / 横方向成長 / 紫外LED |
| キーワード(英) | AlGaN / LT-AlN interlayer / dislocation / lateral growth / UV-LED |
| 資料番号 | LQE2002-81 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
|---|---|
| 開催期間 | 2002/6/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | AlGaN混晶の高品質化と紫光デバイスへの応用(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Realization of high-quality thick AlGaN layers and application of UV devices |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(2)（和/英） | 低温AlN中間層 / LT-AlN interlayer |
| キーワード(3)（和/英） | 転位 / dislocation |
| キーワード(4)（和/英） | 横方向成長 / lateral growth |
| キーワード(5)（和/英） | 紫外LED / UV-LED |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 岩谷 素顕 / Motoaki IWAYA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院・理工学研究科 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 高浪 俊 / Shun TAKANAMI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院・理工学研究科 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 宮崎 敦嗣 / Atsushi MIYAZAKI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院・理工学研究科 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 佐野 智昭 / Tomoaki SANO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院・理工学研究科 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 上山 智 / Satoshi KAMIYAMA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院・理工学研究科:名城大学・ハイテクリサーチセンター Faculty of Science and Technology, Meijo University:High-Tech Research Center, Meijo University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 天野 浩 / Hiroshi AMANO |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院・理工学研究科:名城大学・ハイテクリサーチセンター Faculty of Science and Technology, Meijo University:High-Tech Research Center, Meijo University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 赤崎 勇 / Isamu AKASAKI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院・理工学研究科:名城大学・ハイテクリサーチセンター Faculty of Science and Technology, Meijo University:High-Tech Research Center, Meijo University |
| 発表年月日 | 2002/6/8 |
| 資料番号 | LQE2002-81 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 119 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |