| 講演名 | 2002/6/8 GaInN系LEDの発光特性と高出力素子(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般) 渡辺 智, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | GaInN系LEDは、その特異的な発光機構により、特徴的なデバイス特性を示す。その中で、発光波長の電流増加に伴うブルーシフトおよび外部量子効率の電流密度依存性に着目し、発光機構モデルとの関係について実験的に検討を行った。また、更なる高効率化に向けての課題についてまとめ、照明応用に向けたGaInN系高出力LEDの現状技術を示した。1mm角サイズのチップの高出力LEDにおいて、パッケージあたり100lmを超える光束を実現した. |
| 抄録(英) | GaInN based LEDs are well known to show peculiar device characteristics due to a strain induced piezoelectric field and localization of carriers. Two remarkable features are the blue shift of luminescence wavelength with increasing injected current and the behavior of the external quantum efficiency as a function of current. We have studied these device characteristics experimentally and discussed their relationship with widely proposed recombination models. Additionally, some issues to further improve LED efficiency have been discussed and current technologies for GaInN based high efficiency and high power LEDs have been shown. An optical flux as much as 100 lm from a single packaged LED lamp have been realized by using a 1mm x 1mm large junction area chip. |
| キーワード(和) | GaInN量子井戸 / 局在効果 / 圧電電界効果 / 効率曲線 / 高出力LED |
| キーワード(英) | GaInN quantum wells / localization effect / piezoelectric field effect / efficiency curve / high power LEDs |
| 資料番号 | LQE2002-80 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
|---|---|
| 開催期間 | 2002/6/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaInN系LEDの発光特性と高出力素子(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Luminescence Characteristics of GaInN Based LEDs and High Power Devices |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaInN量子井戸 / GaInN quantum wells |
| キーワード(2)（和/英） | 局在効果 / localization effect |
| キーワード(3)（和/英） | 圧電電界効果 / piezoelectric field effect |
| キーワード(4)（和/英） | 効率曲線 / efficiency curve |
| キーワード(5)（和/英） | 高出力LED / high power LEDs |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 渡辺 智 / Satoshi WATANABE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | アジレント・テクノロジー(株) アジレント研究所 Agilent Laboratories, Agilent Technologies |
| 発表年月日 | 2002/6/8 |
| 資料番号 | LQE2002-80 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 119 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |