| 講演名 | 2002/6/8 TlInGaAs系新半導体の成長とTlInGaAs/InPダブルヘテロ構造での室温レーザ発振(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般) 藤原 淳志, 李 輝宰, 溝端 亜希子, 朝日 一, |
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| 抄録(和) | 従来のIII-V族半導体にTl元素を加えたTlInGaAs/InP混晶について、ガスソースMBE法による成長を行った。TlInGaAsは半金属であるTlAsと半導体のInGaAsとからなる混晶で、周囲温度に依存しないバンドギャップを持つ可能性があり、波長多重(WDM)光通信用の半導体レーザ用材料として期待される。これまでに我々はTlInGaAs/InP DH LEDのエレクトロルミネセンス(EL)ピークエネルギーの温度変化が-0.088meV/Kと従来のIII-V族半導体のそれに比べて小さな値を得た。本論文では、TlInGaAs/InP DH LDを試作し、室温でのレーザ発振を得たのでその結果について報告する。 |
| 抄録(英) | TlInGaAs quaternary layers are successfully grown on InP substrates by gas source molecular beam epitaxy. TlInGaAs is the alloy consisting of semimetal TlAs and semiconductor InGaAs. We recently proposed this new semiconductor material system for the temperature insensitive wavelength laser diodes,which is important for the WDM optical fiber communication systems. We have already observed very small temperture variation of the EL peak energy as small as -0.088meV/K for the TlInGaAs/InP DH LED. This paper discribes the successful fabrication of TlInGaAs/InP DH LD and their properties. |
| キーワード(和) | タリウム系半導体 / 長波長デバイス材料 / 温度無依存バンドギャップ / LED / LD |
| キーワード(英) | tallium containing semiconductor / long wavelength laser diode / temperature independent bandgap / LED / LD |
| 資料番号 | LQE2002-79 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2002/6/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | TlInGaAs系新半導体の成長とTlInGaAs/InPダブルヘテロ構造での室温レーザ発振(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of new TlInGaAs semiconductors and room temperature operation of TlInGaAs/InP DH laser diodes |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | タリウム系半導体 / tallium containing semiconductor |
| キーワード(2)（和/英） | 長波長デバイス材料 / long wavelength laser diode |
| キーワード(3)（和/英） | 温度無依存バンドギャップ / temperature independent bandgap |
| キーワード(4)（和/英） | LED / LED |
| キーワード(5)（和/英） | LD / LD |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 藤原 淳志 / Atsushi Fujiwara |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪大学産業科学研究所 The Institute of scientific and Industrial Research,Osaka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 李 輝宰 / Hwi Jae Lee |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪大学産業科学研究所 The Institute of scientific and Industrial Research,Osaka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 溝端 亜希子 / Akiko Mizobata |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪大学産業科学研究所 The Institute of scientific and Industrial Research,Osaka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 朝日 一 / Hajime Asahi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大阪大学産業科学研究所 The Institute of scientific and Industrial Research,Osaka University |
| 発表年月日 | 2002/6/8 |
| 資料番号 | LQE2002-79 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 119 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |