| 講演名 | 2002/6/8 HWE法によるAlN/GaN量子カスケード構造の作製と構造評価(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般) 石田 明広, 長澤 仁也, 井上 翼, 立岡 浩一, 藤安 洋, 菅 博文, 牧野 久雄, 八百 隆文, |
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| 抄録(和) | GaNに1原子層のAlNを周期的に挟んだ(AlN)_1/(GaN)_n11短周期超格子に数原子層のAlNを周期的に挿入した[(AlN)_1/(GaN)_n1]_m/(AlN)_n2量子カスケード構造をホットウォールエピタキシー法により作製し、X線回折、透過電子顕微鏡観察により評価した。トータル20周期、0.4μmの量子カスケード層がGaN薄膜上へコヒーレントに成長していることが確認された。 |
| 抄録(英) | [(AlN)_1/(GaN)_n1]_m/(AlN)_n2 quantum cascade structure was prepared by hot wall epitaxy, and the structure was characterized by transmission electron microscopy and x-ray diffraction. Clear and well-controlled quantum cascade structure was observed by TEM. And (10-14) x-ray mapping measurement showed that the 20 periods of QC structure was grown coherently on the GaN film. |
| キーワード(和) | GaN / AlN / 量子井戸 / カスケード / TEM / X線回折 / 超格子 |
| キーワード(英) | GaN / AlN / quantum well / cascade / TEM / x-ray diffraction / superlattice |
| 資料番号 | LQE2002-78 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2002/6/8(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | HWE法によるAlN/GaN量子カスケード構造の作製と構造評価(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of AlN/GaN Quantum-Cascade Structure by Hot Wall Eptaxy and Its Structural Characterization |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | AlN / AlN |
| キーワード(3)（和/英） | 量子井戸 / quantum well |
| キーワード(4)（和/英） | カスケード / cascade |
| キーワード(5)（和/英） | TEM / TEM |
| キーワード(6)（和/英） | X線回折 / x-ray diffraction |
| キーワード(7)（和/英） | 超格子 / superlattice |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 石田 明広 / A. Ishida |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部 Department of Electrical and Electronic Engineering, Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 長澤 仁也 / H. Nagasawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部 Department of Electrical and Electronic Engineering, Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 井上 翼 / Y. Inoue |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部 Department of Electrical and Electronic Engineering, Shizuoka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 立岡 浩一 / H. Tatsuoka |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部 Department of Electrical and Electronic Engineering, Shizuoka University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 藤安 洋 / H. Fujiyasu |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部 Department of Electrical and Electronic Engineering, Shizuoka University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 菅 博文 / H. Kan |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 浜松ホトニクス中央研究所 Central Research Lab. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 牧野 久雄 / H. Makino |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 東北大学金属材料研究所 Institute for Materials Research, Tohoku University |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 八百 隆文 / T. Yao |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 東北大学金属材料研究所 Institute for Materials Research, Tohoku University |
| 発表年月日 | 2002/6/8 |
| 資料番号 | LQE2002-78 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 119 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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