| 講演名 | 2002/6/8 AlN/GaN超格子を用いた1.2～1.6μm光通信波長帯サブバンド間吸収の観測(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般) 菊池 昭彦, 金澤 秀和, 橘 哲生, 岸野 克巳, |
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| 抄録(和) | (GaN)_m/(AlN)_n超格子において、光通信波長帯をカバーする1.14～1.61μmにおけるサブバンド間吸収を観測し、系統的な評価を行った。試料はrfプラズマ励起窒素を原料とする分子線エピタキシー(rf-MBE)法を用いて(0001)面サファイア基板上に直接成長した。超格子はGaN井戸層(m=2～10ML)とAlN障壁層(n～11ML)を90周期有する構造とした。厚さ4MLのGaN井戸層を有する試料において、1.14μmという短波長のISBT吸収が観測された。この波長は、GaN/AlN超格子において理論的に予測される短波長限界に近い。GaN井戸幅の増加とともに吸収ピーク波長は単調に長波長化し、井戸幅9.5MLにおいて1.61μmとなった。また、吸収波長1.54μmの試料における吸収スペクトルの半値全幅は61meVと狭く、高品質な超格子構造の成長が確認された。 |
| 抄録(英) | Intersubband transition (ISBT) at the optical communication wavelength range from 1.14 to 1.61 μm was systematically investigated in (GaN)m/(AlN)n superlattices (SLs). The SL samples were grown directly on (0001) sapphire substrates by molecular beam epitaxy using rf-plasma nitrogen as a source (rf-MBE). The SLs consisted of 90 periods of GaN-well (m=2～10 mono-layer (ML) in thickness) and AlN barrier (n～11 ML). For a 4-ML GaN well, the ISBT absorption wavelength reached down to 1.14 μm, close to a theoretically predicted limitation, and it was shifted monotonically up to 1.61 μm with increasing the well thickness to 9.5 ML. The linewidth of the absorption spectra as narrow as 61 meV was observed at 1.54 μm. |
| キーワード(和) | 光通信 / サブバンド間遷移 / ガリウムナイトライド / アルミニウムナイトライド / 超格子 / 分子線エピタキシー |
| キーワード(英) | Optical communication / Intersubband transition / gallium nitride / aluminum nitride / superlattice / molecular beam epitaxy |
| 資料番号 | LQE2002-77 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2002/6/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | AlN/GaN超格子を用いた1.2～1.6μm光通信波長帯サブバンド間吸収の観測(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Observation of intersubband transition at 1.2～1.6μm optical communication wavelength in AlN/GaN superlattices |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 光通信 / Optical communication |
| キーワード(2)（和/英） | サブバンド間遷移 / Intersubband transition |
| キーワード(3)（和/英） | ガリウムナイトライド / gallium nitride |
| キーワード(4)（和/英） | アルミニウムナイトライド / aluminum nitride |
| キーワード(5)（和/英） | 超格子 / superlattice |
| キーワード(6)（和/英） | 分子線エピタキシー / molecular beam epitaxy |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 菊池 昭彦 / Akihiko KIKUCHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部 Faculty of Science and Technology, Sophia University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 金澤 秀和 / Hidekazu KANAZAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部 Faculty of Science and Technology, Sophia University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 橘 哲生 / Tetsuo TACHIBANA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部 Faculty of Science and Technology, Sophia University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 岸野 克巳 / Katsumi KISHINO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部 Faculty of Science and Technology, Sophia University |
| 発表年月日 | 2002/6/8 |
| 資料番号 | LQE2002-77 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 119 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |