| 講演名 | 2002/6/8 GaN/AlN量子井戸の作製とサブバンド間遷移の光応答特性(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般) 飯塚 紀夫, 金子 桂, 鈴木 信夫, |
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| 抄録(和) | MBEでGaN/AlN多重量子井戸構造を作製し、その結晶性および近赤外領域でのサブバンド間光応答特性を評価した。最大で200周期も積層したにも関わらず、TEMおよびX線回折により良好な周期構造が確認できた。サブバンド間吸収スペクトル解析により井戸は2原子層分の厚さゆらぎが、またヘテロ界面は2-3原子層分の混晶領域があることがわかった。吸収は十分デバイス化可能な大きさであった。また、消費エネルギーの目安を与える吸収飽和強度は0.5pJ/μm^2と小さく、実用に供する可能性を示すものであった。リッジ導波路構造の作製も行い、この構造でのサブバンド間吸収の観測にも成功した。 |
| 抄録(英) | GaN/AlN quantum well structures were grown by MBE and the crystalline quality and the characteristics of intersubband transition in near infrared region were investigated. Although the layer consisted of as many as 200 wells, good periodicity was confirmed by cross-sectional TEM images and X-ray diffraction. Analysis of the absorption spectra indicated that the wells fluctuated in thickness by 2 monolayers (MLs) and the interfaces gradated by 2-3 MLs. Absorptions were sufficiently large for realizing devices. The saturation intensity was as small as 0.5 pJ/μm^2 this indicated that the devices would be available for practical use. More over, waveguide structures were fabricated and the intersubband absorptions were successfully observed. |
| キーワード(和) | GaN / 量子井戸 / サブバンド間遷移 / 分子線エピタキシー |
| キーワード(英) | GaN / Quantum well / Intersubband transition / MBE |
| 資料番号 | LQE2002-76 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2002/6/8(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaN/AlN量子井戸の作製とサブバンド間遷移の光応答特性(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of GaN/AlN Quantum Wells and Characteristics of Intersubband Transition |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | 量子井戸 / Quantum well |
| キーワード(3)（和/英） | サブバンド間遷移 / Intersubband transition |
| キーワード(4)（和/英） | 分子線エピタキシー / MBE |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 飯塚 紀夫 / Norio IIZUKA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)東芝 研究開発センター Corporate R & D Center, Toshiba Corp. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 金子 桂 / Kei KANEKO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)東芝 研究開発センター Corporate R & D Center, Toshiba Corp. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 鈴木 信夫 / Nobuo SUZUKI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)東芝 研究開発センター Corporate R & D Center, Toshiba Corp. |
| 発表年月日 | 2002/6/8 |
| 資料番号 | LQE2002-76 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 119 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |