| 講演名 | 2002/6/8 水素化多結晶GaNを用いた紫外線検出器の実用化と発光素子の可能性(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般) 八木 茂, |
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| 抄録(和) | III-V(窒素)族化合物半導体(窒化物半導体)の大面積化と低コスト化を目標として非単結晶窒化ガリウムの材料と素子の研究を行ってきた。400℃以下での低温成長と水素化を可能とするリモートプラズマによる成長方法を開発し、ガラス、酸化物導電膜、Al、Siなどの基板に水素化多結晶窒化ガリウム(GaN:H)を成長した。ガラス透明導電膜基板/Mgドープ多結晶GaN:H/Au電極の簡単な構成の素子がUVフォトダイオードとして実用的な感度や応答性、直線性、安定性を示すことを見出した。2001年にこの素子を用いた携帯型紫外線自動計測器を商品化し、多結晶窒化物半導体の実用化にはじめて成功した。この多結晶GaN:H半導体は電流注入発光やヘテロpn接合の形成が確認されており、平面LED素子の実現も期待できる。 |
| 抄録(英) | Poly-crystalline III - V nitrides have been investigated to extend the applications in large-area and low-cost opto-electronic devices. For the purpose, hydrogenated nitrides are grown at lower temperature than 400℃ on various substrates such as glasses, transparent conductive oxides, metals and silicon by remote-plasma metalorganic chemical vapor deposition. Among various devices, indium-tin-oxides coated glass/Mg-doped hydrogenated polycrystalline GaN( poly-GaN:H ) /Au devices reveal excellent photoelectrical properties comparable to single crystalline GaN photodiodes. We have successfully developed UV photodiodes composed of the polycrystalline GaN for the first time and developed and put the portable UV meters with the photodiodes to the market. The feasibility of large area light emitting device using poly-GaN:H are discussed. |
| キーワード(和) | 水素化多結晶化合物半導体 / 窒化ガリウム / 紫外線フォトダイオード / 発光素子 |
| キーワード(英) | Hydrogenated polychrystalline compond semiconductor / GaN / UV photodiode / LED |
| 資料番号 | LQE2002-75 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2002/6/8(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 水素化多結晶GaNを用いた紫外線検出器の実用化と発光素子の可能性(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Application of Hydrogenated Polycrystalline Gallium Nitride to UV Photodiodes and Light Emitting Devices |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 水素化多結晶化合物半導体 / Hydrogenated polychrystalline compond semiconductor |
| キーワード(2)（和/英） | 窒化ガリウム / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | 紫外線フォトダイオード / UV photodiode |
| キーワード(4)（和/英） | 発光素子 / LED |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 八木 茂 / Shigeru Yagi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 富士ゼロックス株式会社ニュービジネスセンター New business Center, Fuji Xerox Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 2002/6/8 |
| 資料番号 | LQE2002-75 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 119 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |