| 講演名 | 2002/6/8 AlGaN PINダイオードによる炎センサとその温度特性(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般) 平野 光, 山本 美和, 西田 克彦, 岩谷 素顕, 上山 智, 天野 浩, 赤崎 勇, |
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| 抄録(和) | UV-C(波長280nm以下)を高選択に受光できれば,炎の点滅を検出できる火炎検知センサーを実現できると期待される.現状では光電材料を用いたUV-C選択受光管が使われているが,これをワイドギャップ系の半導体材料で固体化できれば高温度で動作可能となり,寿命も半永久的になる。これは、一般民生用まで火炎の検知に使える可能性も有する.本研究は材料探索から始め,AlN混晶比率が43%のAlGaNによるPINフォトダイオードによるUV-C選択受光素子は,室内照明と火炎の発光を判別を可能した.その過程のレビューと共に,最近の成果である高温での動作に影響を与える因子についても述べる. |
| 抄録(英) | Highly UV-C selective photodetectors can be applied to flame detection. At present, a glass-tubular detector with an electro-optical material are industrially used. Solid-state UV-C selective detector using a widegap semiconductor is expected to be operated at high temperature with a long-life durability, which enables to replace even domestic flame detectors. This study was started from the material selection and flame detection was succeeded in the background room lighting by a UV-C selective AlGaN-based PIN photodiode with AlN molefraction of 43%. In this paper, the review of this study and the latest result focusing on the high temperature behavior related with deep levels in AlGaN. |
| キーワード(和) | AlGaN / Photodiode / Flame detector / High temperature application / UV-C |
| キーワード(英) | AlGaN / Photodiode / Flame detector / High temperature application / UV-C |
| 資料番号 | LQE2002-74 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2002/6/8(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | AlGaN PINダイオードによる炎センサとその温度特性(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | AlGaN Based PIN Diode Flame Detector and Behavior at High Temeperature |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(2)（和/英） | Photodiode / Photodiode |
| キーワード(3)（和/英） | Flame detector / Flame detector |
| キーワード(4)（和/英） | High temperature application / High temperature application |
| キーワード(5)（和/英） | UV-C / UV-C |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 平野 光 / Akira HIRANO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪ガス 開発研究部 Osaka Gas Co., Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山本 美和 / Miwa YAMAMOTO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 関西新技術研究所 Kansai Research Insititute |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 西田 克彦 / Katsuhiko NISHIDA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都セミコンダクター Kyoto Semiconductor |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 岩谷 素顕 / Motoaki IWAYA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名城大理工 Dept. of Science and Engineering, Meijo-University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 上山 智 / Satoru KAMIYAMA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名城大理工 Dept. of Science and Engineering, Meijo-University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 天野 浩 / Hiroshi AMANO |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名城大理工 Dept. of Science and Engineering, Meijo-University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 赤崎 勇 / Isamu AKASAKI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 名城大理工 Dept. of Science and Engineering, Meijo-University |
| 発表年月日 | 2002/6/8 |
| 資料番号 | LQE2002-74 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 119 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |